公开(公告)号：CN105976856B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201610504828.X

申请日：2016-06-29

Applicant: 安徽大学

Inventor： 张景波 ,  吴秀龙 ,  关立军 ,  徐晨杰 ,  蔺智挺 ,  彭春雨 ,  陈军宁

IPC: G11C8/10

Abstract: 本发明公开了一种应用于静态随机存储器的锁存型流水结构高速地址译码器，能够消除预译码模块造成的译码时间损耗，同时其第二级译码模块采用本发明中提出的受时钟控制的新型译码电路结构能够有效的提高第二级译码模块的译码速度，进而提高整个地址译码器的性能。特别适用于对译码速度有特殊要求的电路中，例如高性能SRAM。

公开(公告)号：CN105336361A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510898475.1

申请日：2015-12-04

Applicant: 安徽大学

Inventor： 吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  彭春雨 ,  徐晨杰 ,  高珊 ,  李正平 ,  谭守标 ,  陈军宁

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明公开了一种SRAM自跟踪复制位线电路，该电路能够利用正在进行读操作存储单元附近的一列未工作在保持状态的存储单元作为复制位线对读状态进行跟踪，从而可以精确的模拟SRAM读操作时位线的放电过程，进而产生具有较小偏差的灵敏放大器使能信号，有效降低读错误率，特别适用于有较大工艺波动的先进制造工艺和拥有较大规模SRAM存储阵列的电路中。

公开(公告)号：CN105336361B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201510898475.1

申请日：2015-12-04

Applicant: 安徽大学

Inventor： 吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  彭春雨 ,  徐晨杰 ,  高珊 ,  李正平 ,  谭守标 ,  陈军宁

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明公开了种SRAM自跟踪复制位线电路,该电路能够利用正在进行读操作存储单元附近的列未工作在保持状态的存储单元作为复制位线对读状态进行跟踪,从而可以精确的模拟SRAM读操作时位线的放电过程,进而产生具有较小偏差的灵敏放大器使能信号,有效降低读错误率,特别适用于有较大工艺波动的先进制造工艺和拥有较大规模SRAM存储阵列的电路中。

公开(公告)号：CN105976856A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610504828.X

申请日：2016-06-29

Applicant: 安徽大学

Inventor： 张景波 ,  吴秀龙 ,  关立军 ,  徐晨杰 ,  蔺智挺 ,  彭春雨 ,  陈军宁

IPC: G11C8/10

CPC classification number: G11C8/10

Abstract: 本发明公开了一种应用于静态随机存储器的锁存型流水结构高速地址译码器，能够消除预译码模块造成的译码时间损耗，同时其第二级译码模块采用本发明中提出的受时钟控制的新型译码电路结构能够有效的提高第二级译码模块的译码速度，进而提高整个地址译码器的性能。特别适用于对译码速度有特殊要求的电路中，例如高性能SRAM。

公开(公告)号：CN206097927U

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201620678208.3

申请日：2016-06-29

Applicant: 安徽大学

Inventor： 张景波 ,  吴秀龙 ,  关立军 ,  徐晨杰 ,  蔺智挺 ,  彭春雨 ,  陈军宁

IPC: G11C8/10

Abstract: 本实用新型公开了一种应用于静态随机存储器的锁存型流水结构高速地址译码器，能够消除预译码模块造成的译码时间损耗，同时其第二级译码模块采用本实用新型中提出的受时钟控制的新型译码电路结构能够有效的提高第二级译码模块的译码速度，进而提高整个地址译码器的性能。特别适用于对译码速度有特殊要求的电路中，例如高性能SRAM。