公开(公告)号：CN118351913B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410777479.3

申请日：2024-06-17

Applicant: 安徽大学

Inventor： 卢文娟 ,  张其众 ,  胡薇 ,  吴秀龙

IPC: G11C11/419 ,  G11C11/412

Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种14T‑TFET‑SRAM单元电路、模块及阵列。本发明的单元电路包括6个PTFET晶体管P1~P6、8个NTFET晶体管N1~N8。本发明充分利用了低电压下TFET晶体管具有更好开关特性和更低的亚阈值摆幅的优势，添加了P1、P2作为写辅助管，大大提高了单元电路的写能力；通过电路设计，使得传输管N1、N2、N3、N4的漏极电压始终不低于源极电压，不仅提高了单元电路的写能力，而且消除了TFET器件的正向偏置电流，降低了单元电路的静态功耗，增大单元电路的噪声容限。本发明解决了现有TFET‑SRAM单元写噪声容限较低、静态功耗大的问题。

公开(公告)号：CN118351913A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410777479.3

申请日：2024-06-17

Applicant: 安徽大学

Inventor： 卢文娟 ,  张其众 ,  胡薇 ,  吴秀龙

IPC: G11C11/419 ,  G11C11/412

Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种14T‑TFET‑SRAM单元电路、模块及阵列。本发明的单元电路包括6个PTFET晶体管P1~P6、8个NTFET晶体管N1~N8。本发明充分利用了低电压下TFET晶体管具有更好开关特性和更低的亚阈值摆幅的优势，添加了P1、P2作为写辅助管，大大提高了单元电路的写能力；通过电路设计，使得传输管N1、N2、N3、N4的漏极电压始终不低于源极电压，不仅提高了单元电路的写能力，而且消除了TFET器件的正向偏置电流，降低了单元电路的静态功耗，增大单元电路的噪声容限。本发明解决了现有TFET‑SRAM单元写噪声容限较低、静态功耗大的问题。