公开(公告)号：CN112607714B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202110020388.1

申请日：2021-01-07

Applicant: 安徽大学绿色产业创新研究院

Inventor： 宋吉明 ,  周宁宁

IPC: C01B19/04 ,  H10N10/852 ,  H10N10/10 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种Ag掺杂的PbSe基热电材料的制备方法，属于能源转换技术领域。首先采用水热合成PbSe纳米粒子，随后按一定化学计量比与自制的Ag纳米粒子复合，然后将复合纳米粒子在合适的压力和温度下退火，再结合高频炉加热、热压烧结工艺制备出PbSe‑X wt%Ag块体热电材料。本发明制备的PbSe‑X wt%Ag热电材料的电导率为5630.86~11099.02 S/m，热导率为0.50~0.70 W/mK，热电最优值为0.46~0.97。该制备方法周期短，操作简便，对设备要求低，而且所得热电材料为p型半导体，制备的PbSe基热电材料在能源转换领域具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN112607714A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202110020388.1

申请日：2021-01-07

Applicant: 安徽大学绿色产业创新研究院

Inventor： 宋吉明 ,  周宁宁

IPC: C01B19/04 ,  H01L35/16 ,  H01L35/28 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种Ag掺杂的PbSe基热电材料的制备方法，属于能源转换技术领域。首先采用水热合成PbSe纳米粒子，随后按一定化学计量比与自制的Ag纳米粒子复合，然后将复合纳米粒子在合适的压力和温度下退火，再结合高频炉加热、热压烧结工艺制备出PbSe‑X wt%Ag块体热电材料。本发明制备的PbSe‑X wt%Ag热电材料的电导率为5630.86~11099.02 S/m，热导率为0.50~0.70 W/mK，热电最优值为0.46~0.97。该制备方法周期短，操作简便，对设备要求低，而且所得热电材料为p型半导体，制备的PbSe基热电材料在能源转换领域具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN113683062A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110977435.1

申请日：2021-08-24

Applicant: 安徽大学

Inventor： 宋吉明 ,  梁小龙 ,  周宁宁 ,  何文涛 ,  李周

IPC: C01B19/04 ,  C01B32/21 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明公开了一种SnSe2纳米片复合膨胀石墨（G）热电材料的制备方法，属于能源转换技术领域。首先采用油相合成方法制备出SnSe2纳米粒子，随后按一定质量比称取适量的SnSe2纳米粒子和膨胀石墨，研磨充分且混合均匀，得到SnSe2‑X wt%G（X为复合G的质量比）前驱体粉末，然后将前驱体粉末在合适的压力和温度下进行退火、热压烧结得到SnSe2‑X wt%G块体热电材料。本发明制备的SnSe2‑X wt%G热电材料的电导率为390~2450 S/m，热导率为0.34~0.55 Wm‑1K‑1。本发明制备热电材料具有烧结温度低，制备周期短，操作简便，对设备要求低等优点，实现了SnSe2基热电材料热电最优值显著提高的制备方法。

公开(公告)号：CN110329997A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201910357627.5

申请日：2019-04-29

Applicant: 安徽大学

Inventor： 宋吉明 ,  周宁宁 ,  牛和林 ,  毛昌杰 ,  陈京帅

IPC: C01B19/04 ,  B82Y40/00 ,  G01N25/18 ,  G01N25/20

Abstract: 本发明公开了一种液相合成低热导率SnSe纳米材料的制备方法，属于材料制备及能源转化技术领域。采用液相合成和退火热压相结合的方法，以去氧蒸馏水为溶剂，以一定比例的硒源和锡源制备成SnSe纳米材料，尺寸约为25 nm。将其退火通过热压操作压成的片，测得在室温下热导率为0.291 Wm-1k-1，在350℃的温度下其热导率仅为0.237 Wm-1k-1，与同族化合物SnTe和其他方法制得的SnSe相比热导率低。较低的热导性能有效的减少热量的损失，说明该低热导率的纳米材料是良好的潜在热电材料，材料本身无毒且容易大量合成，合成成本低等优点，具有较好的实际应用价值。