公开(公告)号：CN114695581A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210456530.1

申请日：2022-04-27

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  李晨曦 ,  周雪 ,  周祥 ,  夏超 ,  黄辉 ,  候蕊 ,  王宁

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  C03C17/34 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明公开了一种硫化铋纳米片阵列的制备方法及基于其的异质结型光电极，是通过改进Bi2S3纳米片阵列的合成工艺，获得了形貌均匀、不团聚且厚度极薄的Bi2S3纳米片阵列，然后通过合适的工艺方法将其与Bi2O2Se纳米片构建为异质结光电极，二者表现出极强的协同增效作用，所得异质结具有优异的PEC性能。本发明Bi2S3纳米片阵列的制备方法与异质结的构建方法，都具有方法简单、安全性能高和无污染的优势。

公开(公告)号：CN114695581B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202210456530.1

申请日：2022-04-27

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  李晨曦 ,  周雪 ,  周祥 ,  夏超 ,  黄辉 ,  候蕊 ,  王宁

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  C03C17/34 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明公开了一种硫化铋纳米片阵列的制备方法及基于其的异质结型光电极，是通过改进Bi2S3纳米片阵列的合成工艺，获得了形貌均匀、不团聚且厚度极薄的Bi2S3纳米片阵列，然后通过合适的工艺方法将其与Bi2O2Se纳米片构建为异质结光电极，二者表现出极强的协同增效作用，所得异质结具有优异的PEC性能。本发明Bi2S3纳米片阵列的制备方法与异质结的构建方法，都具有方法简单、安全性能高和无污染的优势。