公开(公告)号：CN101276991A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810090009.0

申请日：2008-03-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪 ,  小河淳 ,  高冈宏树

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C23C16/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种制造氮化物半导体发光器件的方法，该方法包括下述步骤：在生长所述活性层之前使表面活性剂材料与所述n型氮化物半导体层的表面或未掺杂氮化物半导体层的表面接触接触，或者在生长所述活性层的过程中或生长所述活性层之后使表面活性剂材料与已生长的晶体表面接触。该制造方法可获得具有较高发光效率的氮化物半导体发光器件。

公开(公告)号：CN101330121B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200810125316.8

申请日：2008-06-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  驹田聪 ,  高冈宏树 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置的制造方法，在包括夹置于衬底(101)上的n型氮化物半导体层(103、104)和p型氮化物半导体层(106至108)之间的氮化物半导体有源层(105)的氮化物半导体发光装置的制造方法中，n型层、有源层和p型层的至少任何之一包括多层膜结构，并且表面活性剂材料在包括在多层膜结构中的层的晶体生长之前、期间或者之后提供到晶体生长表面。

公开(公告)号：CN101276991B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810090009.0

申请日：2008-03-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪 ,  小河淳 ,  高冈宏树

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C23C16/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种制造氮化物半导体发光器件的方法，该方法包括下述步骤：在生长所述活性层之前使表面活性剂材料与所述n型氮化物半导体层的表面或未掺杂氮化物半导体层的表面接触接触，或者在生长所述活性层的过程中或生长所述活性层之后使表面活性剂材料与已生长的晶体表面接触。该制造方法可获得具有较高发光效率的氮化物半导体发光器件。

公开(公告)号：CN101330121A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810125316.8

申请日：2008-06-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  驹田聪 ,  高冈宏树 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置的制造方法，在包括夹置于衬底(101)上的n型氮化物半导体层(103、104)和p型氮化物半导体层(106至108)之间的氮化物半导体有源层(105)的氮化物半导体发光装置的制造方法中，n型层、有源层和p型层的至少任何之一包括多层膜结构，并且表面活性剂材料在包括在多层膜结构中的层的晶体生长之前、期间或者之后提供到晶体生长表面。