公开(公告)号：CN103210500A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180055117.4

申请日：2011-11-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷村泰树 ,  奈须野善之 ,  岛田久浬代

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/24 ,  C23C16/515 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/076 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，将半导体层形成气体导入反应室（70）内，通过使上述半导体层形成气体发生等离子体放电而在规定层上形成半导体层（4、304）。在上述半导体层形成气体的基础上，将杂质气体导入上述反应室内，通过使包含上述半导体层形成气体及上述杂质气体的第一导电型层形成气体发生等离子体放电，以覆盖上述半导体层的方式形成第一导电型的第一导电型层（5、305）。在形成上述第一导电型层的工序中，在形成上述半导体层的等离子体放电处理结束后而上述反应室内的压力仍未减压至极限真空度的状态下，供给到上述反应室的气体的组份设定值从上述半导体层形成气体的组份过渡为上述第一导电型层形成气体的组份。能够提高半导体装置的制造方法的生产性。

公开(公告)号：CN102804395A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080065503.7

申请日：2010-03-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 奈须野善之 ,  西村和仁 ,  谷村泰树 ,  梶原庆

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置用基板及使用该基板的光电转换装置、以及它们的制造方法。光电转换装置（1）具有：基板（2）、以及覆盖基板（2）主表面的至少一部分且在接近于半导体层一侧的表面具有凹凸形状的透明导电膜（3），而且光电转换装置（1）具有：覆盖透明导电膜（3）凹凸形状的至少一部分的第一导电型半导体层（5）、以及覆盖第一导电型半导体层（5）的光吸收层（6）。凹凸形状具有最大高度为50nm以上、1200nm以下的凸部（10）。凸部（10）在表面上具有局部波峰（15A，15B）间隔为2nm以上、25nm以下的微小凹部（11）。在第一导电型半导体层（5）上，优选形成于微小凹部（11）的底部（26）上的层厚大于形成于该底部（26）以外其他位置上的层厚。优选第一导电型半导体层（5）与光吸收层（6）的界面的最大深度（Bmax）小于所述微小凹部的最大深度（Dmax）。