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公开(公告)号:CN101484248B
公开(公告)日:2011-10-26
申请号:CN200780023473.1
申请日:2007-04-18
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G02F1/1303 , B05D5/005 , B41J3/28 , B41J3/407 , B41J2202/09 , C09D11/30 , G02F1/1309 , G02F1/133516 , H01L51/0005
Abstract: 本发明提供一种可有效地修复缺陷的缺陷修复装置(1),该缺陷修复装置(1)具备:固定所传送基板的基板载置台(3);从垂直于由基板载置台(3)固定的基板的方向来看、沿与基板的传送方向不同的方向配置并对基板上散在的缺陷喷射液滴的多个液滴喷射单元(11);安装多个液滴喷射单元(11)的喷头架单元(7);以及使喷头架单元(7)沿着基板的传送方向相对等速移动的台架滑动机构(4),各个液滴喷射单元(11)根据表示基板上散在的多个缺陷的位置的数据,在喷头架单元(7)沿基板的传送方向移动期间,沿与传送方向不同的方向相互独立移动。
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公开(公告)号:CN1961435A
公开(公告)日:2007-05-09
申请号:CN200580017057.1
申请日:2005-05-27
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供膜厚均一、且结晶取向的有序性高的单一单分子膜及其累积膜、可以再现性良好地制造这些膜的有机化合物、导电特性良好的有机元件以及它们的制造方法。本发明提供通式(A1)(A2)(A3)-B-Si(A4)(A5)(A6)的有机化合物、使用该化合物的有机薄膜、具有该薄膜的有机元件,A1~A6为氢原子、卤素原子、烷氧基或烷基,消去反应性满足A1~A3>A4~A6的关系。本发明提供有机薄膜和有机元件的制造方法,其中包括使上述有机化合物中的具有A1~A3的硅烷基与基板表面反应而形成单一单分子膜的工序、使用非水溶剂清洗除去未反应的有机化合物的工序和将存在于单分子膜的膜表面侧的未反应的硅烷基作为吸附位点而使上述的由有机化合物形成的单分子膜累积的工序。
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公开(公告)号:CN101460257B
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN200780020779.1
申请日:2007-04-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: B05C5/00
CPC classification number: H01L21/6715 , B41J3/28
Abstract: 一种液滴涂布装置,包括:具有供基板(10)进行载放的载放面(11a)的基座(11)、以可相对于基座(11)沿箭头A方向移动的形态安装在基座(11)上的臂部(4)、以及以可沿箭头B方向移动的形态安装在上述臂部(4)上并朝载放在上述载放面(11a)上的上述基板(10)排出液滴的多个液滴排出部(6)。上述液滴排出部(6)安装在上述臂部(4)的第一横梁部(41)的安装面(41b)以及上述臂部(4)的第二横梁部(42)的安装面(42b)上。
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公开(公告)号:CN101558508B
公开(公告)日:2011-02-02
申请号:CN200780046352.9
申请日:2007-10-12
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G02F1/1309 , G02F1/1303 , G02F1/133516
Abstract: 基板修复系统(1)能够缩短修复作业时间并防止进行不必要的修复处理,从而能够高效地进行修复处理。基板修复系统(1)具有:缺陷信息取得单元(2),用以取得目标基板(9)的全部区域的缺陷信息;修复单元(3),具有1个以上的液滴喷吐单元(6),该液滴喷吐单元(6)根据缺陷信息取得单元(2)所取得的缺陷信息,对目标基板(9)的缺陷部滴注液滴;修复判断单元(4),对于每一个目标基板(9),根据缺陷信息取得单元(2)所取得的缺陷信息来判断是否需要由修复单元(3)进行修复动作。
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公开(公告)号:CN1993371A
公开(公告)日:2007-07-04
申请号:CN200580026636.2
申请日:2005-07-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供不仅可以通过使用溶液处理的简便方法形成、而且可牢固地吸附于基板表面并具有高有序性(结晶性)和高密度填充特性的功能性有机薄膜,可形成该薄膜的有机硅烷化合物及它们的制造方法。以式:A-B-C-SiX1X2X3(A为氢原子可被卤素原子取代的碳原子数1~30的1价脂肪族烃基;B为氧原子或硫原子;C为表现出π电子共轭的2价有机基团;X1~X3为通过水解产生羟基的基团)表示的π电子共轭类有机硅烷化合物。使用该有机硅烷化合物的有机薄膜。上述有机硅烷化合物的制造方法是,对于含以式:H-C-H(C与上述意义相同)表示的化合物由威廉逊反应通过醚键或硫醚键引入烃基A后,通过与以式:X4-SiX1X2X3(X1~X3与上述意义相同)表示的化合物的反应引入硅烷基。功能性有机薄膜的制造方法是,将上述有机硅烷化合物中的硅烷基水解,使其与基板表面反应,形成与基板直接吸附的单分子膜后,使用非水性有机溶剂将该单分子膜上未反应的有机硅烷化合物清洗除去。
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公开(公告)号:CN101460257A
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200780020779.1
申请日:2007-04-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: B05C5/00
CPC classification number: H01L21/6715 , B41J3/28
Abstract: 一种液滴涂布装置,包括:具有供基板(10)进行载放的载放面(11a)的基座(11)、以可相对于基座(11)沿箭头A方向移动的形态安装在基座(11)上的臂部(4)、以及以可沿箭头B方向移动的形态安装在上述臂部(4)上并朝载放在上述载放面(11a)上的上述基板(10)排出液滴的多个液滴排出部(6)。上述液滴排出部(6)安装在上述臂部(4)的第一横梁部(41)的安装面(41b)以及上述臂部(4)的第二横梁部(42)的安装面(42b)上。
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公开(公告)号:CN101018792A
公开(公告)日:2007-08-15
申请号:CN200580028588.0
申请日:2005-08-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C07F7/12 , C07F7/18 , H01L51/05 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01B1/12
CPC classification number: H01L51/0056 , C07F7/12 , C07F7/1804 , H01B1/12 , H01L51/0012 , H01L51/0094
Abstract: 本发明提供了一种具有优良的抗剥落性的高度有序的结晶导电性有机薄膜,一种制备所述薄膜的化合物,以及该化合物的制备方法。所述化合物是一种有机硅烷化合物,其通过用甲硅烷基对式(I)所表示的分子进行取代而制得。所述制备有机硅烷化合物的方法包括对分子(I)进行卤化,使卤化后的分子与硅烷衍生物反应。所述有机薄膜包含所述有机硅烷化合物,这些有机硅烷化合物在基材上排列,使得甲硅烷基位于基材侧,分子(I)部分位于膜表面侧。式中x1和x2满足以下条件:1≤x1,1≤x2,且2≤x1+x2≤8;y1和z1各自独立地为2-8的整数;y2和z2各自独立地为0-8的整数;该骨架可以被疏水基取代。
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公开(公告)号:CN101006094A
公开(公告)日:2007-07-25
申请号:CN200580027999.8
申请日:2005-08-12
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种由式(I)R-SiX1X2X3表示的含侧链型有机硅烷化合物,式(I)中,R表示由3-10单元组成的π-电子共轭型有机残基,所述单元是源自单环芳烃的基团、源自单环杂环化合物的基团或它们的组合,或者表示由2-10个五元环或六元环组成的有机残基,两种残基都具有至少一个侧链,X1、X2和X3可以相同或不同,表示在水解时产生羟基的基团。
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公开(公告)号:CN1989142A
公开(公告)日:2007-06-27
申请号:CN200580024216.0
申请日:2005-07-04
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种π电子共轭的有机硅烷化合物及其制备方法,该有机硅烷化合物形成的有机薄膜在抗剥离、取向性、结晶性和导电性方面性能优良。提供以下通式表示的π电子共轭的有机硅烷化合物:R1-SiX1X2X3,式中R1表示有特定单环杂环单元的有机基团;X1至X3是能通过水解产生羟基的基团。制备这种有机硅烷化合物的方法,该方法包括使通式R1-Li(R1与上面相同)表示的化合物或通式R1-MgX5(R1与上面的相同;X5表示卤原子)与通式X4-SiX1X2X3(X1至X3与上面相同;X4表示氢或卤原子或者低级烷氧基)的化合物反应。提供通式Z-(R11)m-SiR12R13R14(Z表示有机基团,该有机基团源自特定的稠合多环杂环化合物;R11表示二价有机基团;m是0至10;R12至R14表示卤原子或烷氧基)表示的π电子共轭的有机硅烷化合物。制备这种有机硅烷化合物的方法,该方法包括:使通式Z-(R11)m-MgX30(Z、R11和m与上面的相同;X30表示卤原子)表示的化合物与通式X31-SiR12R13R14(X31表示氢或卤原子或者烷氧基;R12至R14与上面相同)的化合物反应。
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