公开(公告)号：CN106062972A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580012467.0

申请日：2015-02-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 浅野直城 ,  稗田健 ,  冈本亲扶 ,  松本雄太 ,  东贤一 ,  重田博昭

IPC: H01L31/056 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0747

Abstract: 提供一种与以往相比能够提高特性和可靠性的光电转换元件和光电转换元件的制造方法。光电转换元件具备基体(10)、电极部(20)以及反射部(30)，其中所述基体(10)具有：半导体基板(1)；第一i型半导体膜(2)，设置于半导体基板(1)的一个表面的一部分；第一导电类型半导体膜(3)，设置于第一i型半导体膜(2)上；第二i型半导体膜(4)，设置于表面的另一部分；以及第二导电类型半导体膜(5)，设置于第二i型半导体膜(4)上，所述电极部(20)具有：第一电极层(21)，设置于第一导电类型半导体膜(3)上；以及第二电极层(22)，设置于第1第二导电类型半导体膜(5)上，所述反射部(30)设置于被第一电极层(21)和第二电极层(22)夹着的间隙区域(A)。

公开(公告)号：CN107924958A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680050114.4

申请日：2016-08-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 浅野直城 ,  小林正道

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件包括：n型的半导体基板(1)；半导体基板(1)的第一面侧(1a)及侧面(1c)上的p型非晶态半导体膜(3)；半导体基板的第一面侧的n型非晶态半导体膜；p型非晶态半导体膜(3)上的p电极(7)；以及n型非晶态半导体膜(4)上的n电极(8)。p电极(7)位于被配置在半导体基板(1)的第一面侧(1a)及侧面(1c)上的p型非晶态半导体膜(3)上。

公开(公告)号：CN107924958B

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201680050114.4

申请日：2016-08-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 浅野直城 ,  小林正道

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件包括：n型的半导体基板(1)；半导体基板(1)的第一面侧(1a)及侧面(1c)上的p型非晶态半导体膜(3)；半导体基板的第一面侧的n型非晶态半导体膜；p型非晶态半导体膜(3)上的p电极(7)；以及n型非晶态半导体膜(4)上的n电极(8)。p电极(7)位于被配置在半导体基板(1)的第一面侧(1a)及侧面(1c)上的p型非晶态半导体膜(3)上。

公开(公告)号：CN105981180B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580007656.9

申请日：2015-01-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  神川刚 ,  辻埜和也 ,  小出直城 ,  浅野直城 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 光电转换元件具备n型单晶硅基板(1)。n型单晶硅基板(1)包括中心区域(11)和端部区域(12)。中心区域(11)是被具有与n型单晶硅基板(1)的中心点相同的中心点、并且将n型单晶硅基板(1)的四边中的最短的边的长度的40％的长度设为直径的圆包围的区域。并且，中心区域(11)具有厚度t1。端部区域(12)是从n型单晶硅基板(1)的端部起5mm以内的区域。并且，端部区域(12)配置于在n型单晶硅基板(1)的面内方向上比中心区域(11)更靠外侧的位置，具有比厚度t1薄的厚度t2。另外，端部区域(12)具有比中心区域(11)的平均面粗糙度小的平均面粗糙度。

公开(公告)号：CN105981180A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580007656.9

申请日：2015-01-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  神川刚 ,  辻埜和也 ,  小出直城 ,  浅野直城 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 光电转换元件具备n型单晶硅基板(1)。n型单晶硅基板(1)包括中心区域(11)和端部区域(12)。中心区域(11)是被具有与n型单晶硅基板(1)的中心点相同的中心点、并且将n型单晶硅基板(1)的四边中的最短的边的长度的40％的长度设为直径的圆包围的区域。并且，中心区域(11)具有厚度t1。端部区域(12)是从n型单晶硅基板(1)的端部起5mm以内的区域。并且，端部区域(12)配置于在n型单晶硅基板(1)的面内方向上比中心区域(11)更靠外侧的位置，具有比厚度t1薄的厚度t2。另外，端部区域(12)具有比中心区域(11)的平均面粗糙度小的平均面粗糙度。