公开(公告)号：CN114613880B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202210142701.3

申请日：2022-02-16

Applicant: 复旦大学 ,  复旦大学义乌研究院

Inventor： 朱俊嫱 ,  丛春晓 ,  仇志军 ,  单亚兵

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/50 ,  H10F77/12 ,  H10F30/10 ,  H10F30/26

Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种具有高增益的二维光电探测器及其制备方法。该二维光电探测器基于MoS2、hBN、BP、WSe2垂直结构，具有光电流放大增益效果和宽谱响应。制备步骤包括：利用PDMS胶带机械剥离特定层数范围内的MoS2、hBN、BP、WSe2；再将剥离好的材料转移到表面沉积SiO2的Si衬底上，旋涂光刻胶，利用激光直写对光刻胶进行图形化；电子束蒸发得到金属电极；对残余光刻胶进行lift‑off；利用原子层沉积Al2O3对器件进行封装，制备得到具有光电流放大效果的宽光谱光电探测器。该光电探测器在抑制暗电流的同时对光电流信号进行放大，探测率高，响应度高，具有宽范围响应。

公开(公告)号：CN116916733A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310805947.9

申请日：2023-07-03

Applicant: 复旦大学义乌研究院

Inventor： 吴雯萱 ,  岳晓飞 ,  丛春晓 ,  仇志军

IPC: H10N30/50 ,  H10N30/30 ,  H10N30/85 ,  H10N30/05 ,  H10N30/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于柔性传感电子制备技术领域，具体为一种高灵敏度二维异质结柔性压力传感器及其制备方法。本发明柔性压力传感器由柔性衬底、过渡金属硫化物、具有压电性质的二维半导体材料以及源电极和漏电极组成；二维压电材料置于TMD顶层与其形成异质结接触；源电极和漏电极与WSe2层形成欧姆接触。制备方法包括：通过干法转移技术将具有压电性质的二维半导体材料与WSe2材料组合，并转移至柔性基底；通过光刻技术在SiO2/Si衬底上制备金属电极，并转移至柔性基底，实现高灵敏度和良好耐久性的柔性压力传感器。本发明将二维压电材料的压电效应与TMD材料高迁移率的特征有效结合，器件在多次弯折后仍具有高灵敏度。

公开(公告)号：CN116666469A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310374900.1

申请日：2023-04-10

Applicant: 复旦大学 ,  复旦大学义乌研究院

Inventor： 丛春晓 ,  刘炳杰 ,  仇志军 ,  岳晓飞 ,  韩金坤

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/111 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，具体为一种宽光谱吸收的二维柔性光电探测器及其制备方法。本发明二维柔性光电探测器由自下至依次迭合的PET衬底、石墨烯吸收层、hBN接触层、BP吸收层、hBN接触层、WSe2吸收层、hBN接触层、WS2吸收层，以及源电极和漏电极组成；三个hBN接触层分别与石墨烯吸收层、BP吸收层、WSe2吸收层、WS2吸收层形成异质结接触；源电极和漏电极分别与石墨烯吸收层和WS2吸收层形成欧姆接触。本发明利用带隙不同的几种二维材料进行光吸收，实现全二维光电探测器的构建，并能实现宽光谱探测；凭借hBN超薄的厚度和无悬挂键的表面，可减少表面电荷陷阱，改善二维材料之间的接触；并在弯折条件下仍然能够实现光电探测。

公开(公告)号：CN114628596B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202210142702.8

申请日：2022-02-16

Applicant: 复旦大学 ,  复旦大学义乌研究院

Inventor： 丛春晓 ,  仇志军 ,  单亚兵 ,  朱俊嫱

IPC: H10K71/00 ,  H10K77/10 ,  H10K30/65 ,  H10K30/88

Abstract: 本发明属于柔性电子制备技术领域，具体为一种利用二维材料制备柔性光存储器件的方法。本发明方法包括：采用柔性材料作为衬底；在衬底上沉积一层氧化物材料；将二维半导体材料转移至衬底上；在二维材料两端形成金属电极；在整个器件上旋涂一层有机物；在有机物上转移一层二维BN材料；最后在BN材料上淀积一层ITO电极材料。与现有技术相比，本发明可以实现可擦除的光存储功能，同时，器件可随意弯曲折叠，在弯折后器件的电学性能保持不变，满足在某些光通讯和光存储下的应用需求。

公开(公告)号：CN114628596A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202210142702.8

申请日：2022-02-16

Applicant: 复旦大学 ,  复旦大学义乌研究院

Inventor： 丛春晓 ,  仇志军 ,  单亚兵 ,  朱俊嫱

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明属于柔性电子制备技术领域，具体为一种利用二维材料制备柔性光存储器件的方法。本发明方法包括：采用柔性材料作为衬底；在衬底上沉积一层氧化物材料；将二维半导体材料转移至衬底上；在二维材料两端形成金属电极；在整个器件上旋涂一层有机物；在有机物上转移一层二维BN材料；最后在BN材料上淀积一层ITO电极材料。与现有技术相比，本发明可以实现可擦除的光存储功能，同时，器件可随意弯曲折叠，在弯折后器件的电学性能保持不变，满足在某些光通讯和光存储下的应用需求。

公开(公告)号：CN114613880A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210142701.3

申请日：2022-02-16

Applicant: 复旦大学 ,  复旦大学义乌研究院

Inventor： 朱俊嫱 ,  丛春晓 ,  仇志军 ,  单亚兵

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  H01L31/111

Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种具有高增益的二维光电探测器及其制备方法。该二维光电探测器基于MoS2、hBN、BP、WSe2垂直结构，具有光电流放大增益效果和宽谱响应。制备步骤包括：利用PDMS胶带机械剥离特定层数范围内的MoS2、hBN、BP、WSe2；再将剥离好的材料转移到表面沉积SiO2的Si衬底上，旋涂光刻胶，利用激光直写对光刻胶进行图形化；电子束蒸发得到金属电极；对残余光刻胶进行lift‑off；利用原子层沉积Al2O3对器件进行封装，制备得到具有光电流放大效果的宽光谱光电探测器。该光电探测器在抑制暗电流的同时对光电流信号进行放大，探测率高，响应度高，具有宽范围响应。