公开(公告)号：CN111312579A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010083046.X

申请日：2020-02-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙正宗 ,  轩宁宁 ,  包文中

IPC: H01L21/02 ,  C23C8/36 ,  C23C8/02

Abstract: 本发明属于光电和电子器件材料技术领域，具体为远程氮等离子体掺杂过渡金属硫族化合物的方法。本发明方法包括：制备单层或少层的过渡金属硫族化合物；将过渡金属硫族化合物样品放入远程氮等离子体装置；体系采用高真空系统，压力为

公开(公告)号：CN111197173B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202010083029.6

申请日：2020-02-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙正宗 ,  轩宁宁

IPC: C25D3/12 ,  C25D3/20 ,  C25D13/02 ,  C25B1/23 ,  C25B1/04 ,  C25B11/091

Abstract: 本发明属于二维材料制备技术领域，具体为非贵金属掺杂的二维材料的电镀制备方法。本发明方法具体步骤包括：制备含有单层或少层二维材料的电极；通过电镀法制备非贵金属掺杂的二维材料：电镀体系为三电极体系，以石墨棒作为阳极，二维材料为阴极，饱和甘汞为参比电极；电解液为饱和的过渡金属氢氧化物溶液，通过调节溶液的pH值范围，控制体系内自由金属离子的浓度范围10‑10~10‑6 g/ml；经过0.1~24小时的电沉积，制备出不同掺杂浓度的二维材料。本发明方法简单易行，可以在室温反应，且掺杂离子的种类和浓度可精确调节，制备的非贵金属掺杂二维材料具有较高的电催化析氢和电催化二氧化碳还原性能。

公开(公告)号：CN111197173A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN202010083029.6

申请日：2020-02-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙正宗 ,  轩宁宁

IPC: C25D3/12 ,  C25D3/20 ,  C25D13/02 ,  C25B11/06 ,  C25B1/04 ,  C25B1/00

Abstract: 本发明属于二维材料制备技术领域，具体为非贵金属掺杂的二维材料的电镀制备方法。本发明方法具体步骤包括：制备含有单层或少层二维材料的电极；通过电镀法制备非贵金属掺杂的二维材料：电镀体系为三电极体系，以石墨棒作为阳极，二维材料为阴极，饱和甘汞为参比电极；电解液为饱和的过渡金属氢氧化物溶液，通过调节溶液的pH值范围，控制体系内自由金属离子的浓度范围10-10~10-6 g/ml；经过0.1~24小时的电沉积，制备出不同掺杂浓度的二维材料。本发明方法简单易行，可以在室温反应，且掺杂离子的种类和浓度可精确调节，制备的非贵金属掺杂二维材料具有较高的电催化析氢和电催化二氧化碳还原性能。

公开(公告)号：CN109847767A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910029284.X

申请日：2019-01-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙正宗 ,  轩宁宁

IPC: B01J27/051

Abstract: 本发明属于二维材料制备技术领域，具体为一种单原子掺杂的二维材料的电化学沉积制备方法。本发明方法包括：以金属片（贵金属或非贵金属）作为金属的前驱体和电化学阳极，二维材料作为阴极；通过控制金属片的阳极电位，控制体系内金属活性种的浓度在10-10~10-6 g/ml,经过1~24小时的电沉积，可以制备出不同单原子掺杂浓度范围的二维材料。本发明方法简单易行，制备的单原子掺杂的二维材料具有高的电催化析氢和电催化二氧化碳还原性能。