公开(公告)号：CN1694577B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200510026626.0

申请日：2005-06-09

Applicant: 复旦大学 ,  深圳豪恩电声科技有限公司 ,  同济大学

Inventor： 沈绍群 ,  夏钟福 ,  王丽 ,  李军 ,  胡绘钧 ,  胡宗保 ,  冯艺 ,  纪新明

IPC: H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明属电声技术领域，具体为一种结构新型的单片硅基微型电容式麦克风。其中，振膜采用弹性系数高的单晶硅膜制作，背极板采用聚酰亚胺厚膜制成，振膜电极和背电极均采用浓硼埋层电极引出，仅在热压脚上制作厚度大于1μm的金属层。在背极板上有微型声学孔。此外，在形成振膜的单晶硅衬底正面集成一个JFET源极跟随器，以达到阻抗变换的目的。单晶硅膜的释放采用HF汽相腐蚀工艺，在振膜与背极板之间不会产生粘连现象，使芯片成品率大大提高。本发明提出的单片硅基微型电容式麦克风，制作工艺简单，成品率高，生产成本低，适宜于大规模生产。

公开(公告)号：CN1802037A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510030144.2

申请日：2005-09-29

Applicant: 深圳市豪恩电声科技有限公司 ,  同济大学 ,  复旦大学

Inventor： 夏钟福 ,  沈绍群 ,  王飞鹏 ,  王丽 ,  李军 ,  胡绘钧

IPC: H04R19/01 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明属传感器技术领域，具体为一种两片结构的背极式硅基微型驻极体电容话筒。其中，驻极体层位于带有背电极的固定背极板上，以单晶硅或多晶硅为振膜，振膜片上的振膜和硅框架以同种材料组成，以克服因应力不匹配导致的振膜高破损率；以二氯二甲基硅烷作为对氮氧化硅储电层的化学表面修正试剂，形成具有高抗湿能力的完善驻极体表面疏水层，通过调控栅控恒压或恒流电晕充电参数并组合热处理，以改善因包含大量声学孔的驻极体层所面临的电荷储存能力下降的问题。本发明大大提高了产品成品率。

公开(公告)号：CN110146947A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910427562.7

申请日：2019-05-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 胡绘钧 ,  杨晓峰

IPC: G02B5/18

Abstract: 本申请公开了一种具有法布里珀罗腔的闪耀光栅。该闪耀光栅包括：光栅衬底、法布里珀罗腔和多个栅条。多个栅条设置在所述光栅衬底的上表面上并彼此平行且间隔开。法布里珀罗腔设置在所述光栅衬底的上表面上且所述法布里珀罗腔腔沿所述多个栅条方向的长度小于所述多个栅条的长度。本发明的具有法布里珀罗腔的闪耀光栅，能够增强衍射光强，增强光信号。

公开(公告)号：CN1802037B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200510030144.2

申请日：2005-09-29

Applicant: 深圳市豪恩电声科技有限公司 ,  同济大学 ,  复旦大学

Inventor： 夏钟福 ,  沈绍群 ,  王飞鹏 ,  王丽 ,  李军 ,  胡绘钧

IPC: H04R19/01 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明属传感器技术领域，具体为一种两片结构的背极式硅基微型驻极体电容话筒。其中，驻极体层位于带有背电极的固定背极板上，以单晶硅或多晶硅为振膜，振膜片上的振膜和硅框架以同种材料组成，以克服因应力不匹配导致的的振膜高破损率；以二氯二甲基硅烷作为对氮氧化硅储电层的化学表面修正试剂，形成具有高抗湿能力的完善驻极体表面疏水层，通过调控栅控恒压或恒流电晕充电参数并组合热处理，以改善因包含大量声学孔的驻极体层所面临的电荷储存能力下降的问题。本发明大大提高了产品成品率。

公开(公告)号：CN1694576A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510026626.0

申请日：2005-06-09

Applicant: 复旦大学 ,  深圳豪恩电声科技有限公司 ,  同济大学

Inventor： 沈绍群 ,  夏钟福 ,  王丽 ,  李军 ,  胡绘钧 ,  胡宗保 ,  冯艺 ,  纪新明

IPC: H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明属电声技术领域，具体为一种结构新型的单片硅基微型电容式麦克风。其中，振膜采用弹性系数高的单晶硅膜制作，背极板采用聚酰亚胺厚膜制成，振膜电极和背电极均采用浓硼埋层电极引出，仅在热压脚上制作厚度大于1μm的金属层。在背极板上有微型声学孔。此外，在形成振膜的单晶硅衬底正面集成一个JFET源极跟随器，以达到阻抗变换的目的。单晶硅膜的释放采用HF汽相腐蚀工艺，在振膜与背极板之间不会产生粘连现象，使芯片成品率大大提高。本发明提出的单片硅基微型电容式麦克风，制作工艺简单，成品率高，生产成本低，适宜于大规模生产。

公开(公告)号：CN110133779B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201910427560.8

申请日：2019-05-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 胡绘钧 ,  杨晓峰

IPC: G02B5/18

Abstract: 本申请公开一种用于形成闪耀光栅的方法，所述方法包括：在光栅衬底上制备钝化层；在所述钝化层上形成多个钝化层沟槽，所述多个钝化层沟槽沿高度方向宽度相同且彼此等距离间隔开；将所述钝化层上的图形转移至所述光栅衬底，从而在所述光栅衬底上形成多个衬底沟槽，所述多个衬底沟槽沿高度方向宽度相同且彼此等距离间隔开；用倾斜离子束轰击所述多个衬底沟槽一侧。根据本发明的方法，能够进行闪耀光栅的高集成度、高精度的制备，并能够实现衍射光栅衍射角的高精度制备。

公开(公告)号：CN110146947B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201910427562.7

申请日：2019-05-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 胡绘钧 ,  杨晓峰

IPC: G02B5/18

Abstract: 本申请公开了一种具有法布里珀罗腔的闪耀光栅。该闪耀光栅包括：光栅衬底、法布里珀罗腔和多个栅条。多个栅条设置在所述光栅衬底的上表面上并彼此平行且间隔开。法布里珀罗腔设置在所述光栅衬底的上表面上且所述法布里珀罗腔腔沿所述多个栅条方向的长度小于所述多个栅条的长度。本发明的具有法布里珀罗腔的闪耀光栅，能够增强衍射光强，增强光信号。

公开(公告)号：CN110133779A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910427560.8

申请日：2019-05-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 胡绘钧 ,  杨晓峰

IPC: G02B5/18

Abstract: 本申请公开一种用于形成闪耀光栅的方法，所述方法包括：在光栅衬底上制备钝化层；在所述钝化层上形成多个钝化层沟槽，所述多个钝化层沟槽沿高度方向宽度相同且彼此等距离间隔开；将所述钝化层上的图形转移至所述光栅衬底，从而在所述光栅衬底上形成多个衬底沟槽，所述多个衬底沟槽沿高度方向宽度相同且彼此等距离间隔开；用倾斜离子束轰击所述多个衬底沟槽一侧。根据本发明的方法，能够进行闪耀光栅的高集成度、高精度的制备，并能够实现衍射光栅衍射角的高精度制备。