公开(公告)号：CN103000579A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210544371.7

申请日：2012-12-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  皮朝阳 ,  赵娜 ,  张卫 ,  张世理

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制备方法。本发明中，通过在对应于晶体管的源极和漏极的金属硅化物接触区的位置上的绝缘介质层中形成通孔，并在通孔内填充金属半导体混合物，将源极和漏极引出。由于金属半导体混合物的电阻率较低，因此可以使得通孔内物质本身的电阻尽量小；而且，由于通孔内的填充材料与源极和漏极接触区的材料均为金属半导体混合物，因此可以使通孔内物质与源极和漏极接触区之间的接触电阻尽量小。此外，由于通孔内填充的是金属半导体混合物，使得通孔内的材料与绝缘介质层的材料之间具有良好的界面和粘附性，又不破坏介质层材料的结构，因此也无需在通孔内的填充材料和绝缘介质层之间形成阻挡层。

公开(公告)号：CN103000579B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210544371.7

申请日：2012-12-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  皮朝阳 ,  赵娜 ,  张卫 ,  张世理

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制备方法。本发明中，通过在对应于晶体管的源极和漏极的金属硅化物接触区的位置上的绝缘介质层中形成通孔，并在通孔内填充金属半导体混合物，将源极和漏极引出。由于金属半导体混合物的电阻率较低，因此可以使得通孔内物质本身的电阻尽量小；而且，由于通孔内的填充材料与源极和漏极接触区的材料均为金属半导体混合物，因此可以使通孔内物质与源极和漏极接触区之间的接触电阻尽量小。此外，由于通孔内填充的是金属半导体混合物，使得通孔内的材料与绝缘介质层的材料之间具有良好的界面和粘附性，又不破坏介质层材料的结构，因此也无需在通孔内的填充材料和绝缘介质层之间形成阻挡层。