公开(公告)号：CN102360566B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201110229454.2

申请日：2011-08-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王丽云 ,  陈利光 ,  王健 ,  王元 ,  周灏 ,  来金梅 ,  童家榕

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于LUTFPGA的SRAM编程点抗幅照加固方法及其实现电路。本发明利用忆阻器的可编程特性，将其嵌入到传统的SRAM单元中，再添加写入电路。在使用时，通过对忆阻器进行编程，将其配置为非对称存储单元结构。忆阻器有高阻和低阻两种状态，其工艺与传统CMOS工艺兼容。这种非对称结构完全免疫于单粒子翻转（SEU）效应和单粒子引起的多位翻转（MBU）效应。

公开(公告)号：CN102360566A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201110229454.2

申请日：2011-08-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王丽云 ,  陈利光 ,  王健 ,  王元 ,  周灏 ,  来金梅 ,  童家榕

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于LUTFPGA的SRAM编程点抗幅照加固方法及其实现电路。本发明利用忆阻器的可编程特性，将其嵌入到传统的SRAM单元中，再添加写入电路。在使用时，通过对忆阻器进行编程，将其配置为非对称存储单元结构。忆阻器有高阻和低阻两种状态，其工艺与传统CMOS工艺兼容。这种非对称结构完全免疫于单粒子翻转（SEU）效应和单粒子引起的多位翻转（MBU）效应。