-
公开(公告)号：CN110010905A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910192975.1
申请日：2019-03-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种三维有序方形孔介孔碳载单原子铁氮催化剂的制备方法，本发明采用溶液法制得单分散四氧化三铁纳米颗粒，通过溶剂挥发诱导纳米颗粒自组装成三维有序的纳米超晶格固体，将颗粒表面的有机分子高温碳化获得碳包覆的三维四氧化三铁纳米超晶格，通过酸刻蚀将四氧化三铁纳米颗粒除掉获得有序介孔碳载单原子铁氮催化剂前驱体，通过与含氮前驱体一起煅烧得到有序介孔碳载单原子铁氮催化剂。本发明方法简单，原料易得，成本较低，具有较高的比表面积、合适的孔径分布，利于反应物和产物的快速扩散，可以作为阴极氧还原反应良好的催化剂，在燃料电池、金属空气电池方面有巨大的应用潜力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110156071A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910343322.9
申请日：2019-04-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种高度有序的全无机钙钛矿纳米团簇组装体的制备方法，本发明采用溶液法制备前驱体铯溶液，其次用有机酸以及有机胺配体在非极性溶剂中溶解卤化铅粉末得到铅前驱体溶液，接着在室温下将适量的油酸铯溶液注入铅前驱体溶液中，搅拌约一分钟后得到絮状全无机钙钛矿纳米团簇组装体。调节配体的种类和含量，均可制备二维六方密堆积以及二维层状结构的团簇组装体。本发明方法简单新颖，可控性强、原料易得，成本较低，可用于光伏器件中。其次本发明提出的团簇组装体模板策略是一种通用方法，适应于多种二维层状纳米晶体的制备，所得纳米晶体材料在光电子器件、太阳能等领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN105565293A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510951794.4
申请日：2015-12-17
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B31/02
CPC classification number: C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2006/16
Abstract: 本发明属于无机材料技术领域，具体为一种二维有序介孔碳骨架薄膜材料的制备方法。本发明采用溶液法制得单分散四氧化三铁纳米颗粒，通过溶剂挥发诱导纳米颗粒在不同基底上自组装成有序的纳米超晶格二维薄膜，再将颗粒表面的有机分子高温碳化获得碳包覆的四氧化三铁纳米超晶格二维薄膜，在薄膜表面镀一层聚合物后，通过刻蚀将四氧化三铁纳米颗粒和基底除去以获得有聚合物包覆的高度有序的二维介孔碳骨架薄膜材料。本发明方法简单，原料易得，成本较低，可对薄膜的厚度及介孔碳骨架的尺寸进行调控。基于二维有序介孔碳骨架薄膜具有较大的比表面积和孔体积，表面易于修饰等特点，本发明将在吸附与分离、传感、储能等方面具有巨大的应用前景。
-
公开(公告)号：CN105439121A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510947814.0
申请日：2015-12-17
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B31/02
CPC classification number: C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2006/12 , C01P2006/16
Abstract: 本发明属于无机材料技术领域，具体为一种三维有序方形孔介孔碳骨架的制备方法。本发明采用溶液法制得单分散方形四氧化三铁纳米颗粒，通过溶剂挥发诱导纳米颗粒自组装成三维有序的纳米超晶格固体，将颗粒表面的有机分子高温碳化获得碳包覆的三维方形四氧化三铁纳米超晶格，通过酸刻蚀将四氧化三铁纳米颗粒除掉获得高度有序的方形孔介孔碳材料。本发明方法简单，原料易得，成本较低，通过控制起始四氧化三铁纳米颗粒的形貌及大小，对介孔碳骨架的孔道的形状和大小进行调控。制备的材料介孔碳的孔结构高度有序且连续，比表面积大，结构稳定，在吸附与分离、储能、传感等方面有广泛的应用。
-
公开(公告)号：CN110127776A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910383533.5
申请日：2019-05-09
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于无机材料技术领域，具体为一种具有蜂窝状多孔结构的碳包覆纳米晶超晶格微球的制备方法。本发明采用溶液法制得单分散纳米颗粒，通过乳液诱导自组装法，在溶剂挥发驱动力下诱导纳米颗粒自组装制备三维有序多孔纳米晶超晶格微球，然后将颗粒表面的有机配体高温碳化获得碳包覆的纳米晶超晶格微球。通过控制乳液组装的水油比例条件，可以对超晶格微球的形貌进行一定的调控。本发明方法简单新颖，可控性强、原料易得，成本较低，应用价值广泛。
-
公开(公告)号：CN105154086A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510636880.6
申请日：2015-09-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于无机材料技术领域，具体为一种常温下制备CdSe/CdS核壳半导体量子点的方法。本发明在常温下用硫化铵或硫化钾的甲酰胺溶液处理CdSe纳米粒子，得到CdSe/CdS核壳半导体纳米粒子，同时S2-取代掉CdSe纳米粒子表面的有机长碳链配体，使纳米粒子溶于甲酰胺等极性溶剂；接着在空气条件下光照2天，使半导体纳米粒子的荧光增强。(NH4)2S处理2nm CdSe纳米粒子可使其量子产率增加到39.8%，3nm CdSe纳米粒子可增加到9.4%。K2S处理2nm CdSe纳米粒子可使其量子产率增加到26.1%，3nm CdSe纳米粒子可增加到3.3%。本发明方法简单、反应条件温和，制得的CdSe/CdS核壳半导体量子点可溶于极性溶剂、高量子产率。在光电二极管、荧光标记等领域具有广泛的应用前景。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.02 seconds)
