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公开(公告)号：CN118401072A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410539428.7
申请日：2024-04-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化亚锡‑锡基钙钛矿异质结薄膜晶体管及制备方法；所述器件沟道主体材料为强P型2D‑3D锡基钙钛矿，其化学式为((Cs0.02(FA0.9DEA0.1)0.98)0.99EDA0.01)9PEA2Sn10I31。器件为底栅顶接触式结构，其制备过程包括衬底的表面处理，半导体沟道层沉积，源漏电极物理沉积。本发明的特点在于硫源掺杂剂的选择，利用化学反应生成硫化亚锡与锡基钙钛矿异质结，从而提升薄膜器件的整体性能。相对于非异质结结构的薄膜晶体管器件，异质结结构薄膜晶体管器件的开关比、载流子浓度、亚阈值摆幅、阈值电压以及迁移率性能都得到显著提升，尤其是在稳定性方面得到了极大提升。因此本发明提出的硫化亚锡‑锡基钙钛矿异质结薄膜晶体管的制备方法，具有制备工艺简单、成本低廉、兼具大面积制备的优势。
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