一种高纯度的致密WAlB MAB相陶瓷块体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114276146A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202111333146.4

    申请日:2021-11-11

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 张东亚 施立群

    Abstract: 本发明提供了一种高纯度的致密WAlBMAB相陶瓷块体材料制备方法,包括以下步骤:步骤1,以硼化钨粉末、铝粉为原料或以硼粉、钨粉、铝粉为原料进行配料;步骤2,向原配料加入球磨介质,以预定转速和预定时间进行湿混得到混合料;步骤3,将混合料在预定温度和一定时间下干燥,得到干燥混合料;步骤4,将干燥混合料进行预压,随后在真空环境或保护气氛下,按照预定升温速率和预定加压速率进行升温和加压,达到预定烧结温度和预定压力后,在预定烧结时间下进行烧结,得到烧结块;步骤5,将烧结块按照预定降温速率降温至室温后,得到高纯度的致密WAlB陶瓷块体材料。本发明还提供了一种高纯度的致密WAlBMAB相陶瓷块体材料,为利用本发明中的制备方法制得。

    一种屏蔽中子和伽马射线的金属陶瓷屏蔽材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN119506680A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411390481.1

    申请日:2024-10-08

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于中子屏蔽材料技术领域,具体一种屏蔽中子和伽马射线的金属陶瓷屏蔽材料。本发明金属陶瓷屏蔽材料为(WxMo1‑x)AlB‑MAB固溶相相化合物,具有单斜立方晶体结构,其晶胞由MB单元与A原子面交替堆垛而成;化合物由元素W、Mo、Al或6061Al合金和B组成,Mo是W在M位的固溶原子,Mo的原子浓度x为5‑40 at%,6061Al合金中的合金元素Si、Mg原子主要在A位。该种化合相金属陶瓷屏蔽材料具备极高浓度的W与B含量,对各种能段的中子和g射线具有优异的屏蔽特性;而且该材料金属和陶瓷双重特性,即具有良好的力学特性,优越的导电、导热性能,较高的热稳定性以及高温抗氧化性能。

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