公开(公告)号：CN1588539A

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN200410053064.4

申请日：2004-07-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周仕明 ,  单荣

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/84

Abstract: 本发明是一种由铁磁/氧化镍多层膜构成且具有垂直磁各向异性的磁性器件。本发明用真空镀膜设备在衬底上交替沉积铁磁和氧化镍材料制备成铁磁/氧化镍多层膜。由于铁磁和氧化镍之间的相互作用在室温产生垂直磁各向异性，小的氧化镍晶粒尺寸使得垂直方向的磁滞回线关于零磁场对称。因此这种多层膜可以作为超高密度垂直磁记录介质、光磁混合垂直记录介质及磁光存储介质。本发明运用现有真空镀膜技术，获得了磁滞回线零磁场对称的磁性器件，弥补了现有技术的不足和缺陷。

公开(公告)号：CN1269108C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200410053064.4

申请日：2004-07-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周仕明 ,  单荣

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/84

Abstract: 本发明是一种由铁磁/氧化镍多层膜构成且具有垂直磁各向异性的磁性器件。本发明用真空镀膜设备在衬底上交替沉积铁磁和氧化镍材料制备成铁磁/氧化镍多层膜。由于铁磁和氧化镍之间的相互作用在室温产生垂直磁各向异性，小的氧化镍晶粒尺寸使得垂直方向的磁滞回线关于零磁场对称。因此这种多层膜可以作为超高密度垂直磁记录介质、光磁混合垂直记录介质及磁光存储介质。本发明运用现有真空镀膜技术，获得了磁滞回线零磁场对称的磁性器件，弥补了现有技术的不足和缺陷。