一种深紫外的显微镜成像物镜及其可见光装校方法和结构

    公开(公告)号:CN114415361A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202210186969.7

    申请日:2022-02-28

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明公开了一种深紫外的显微镜成像物镜及其可见光装校方法和结构;本发明其和筒镜配合使用,与筒镜分立在光瞳两侧;其等效数值孔径为0.75~0.85,工作波长为190~200 nm,等效焦距为3‑8mm,放大率为100‑200倍,成像于无穷远;其由沿着光轴顺序排列的6片球面镜片组成:第一、二、三、四、五和六镜片,其中第一、二、四、六镜片为正透镜,第三、五镜片为负透镜。本发明的物镜可以应用于半导体集成电路带图形硅片的缺陷检测,其检测缺陷的分辨率可以达到58~64纳米或者更小。此外本发明还通过增加一片筒镜,实现镜片装校在可见光波段进行,大大降低装校的难度与紫外光泄露等危险性。

    一种深紫外物镜设计中的调焦调平装置及其应用

    公开(公告)号:CN114509923A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202210108915.9

    申请日:2022-01-28

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明公开了一种深紫外物镜设计中的调焦调平装置及其应用;本发明装置将两个垂直放置且黏附在一起的U型弹簧片与深紫外物镜相连,通过两个可调节螺丝调整物镜和调焦调平单元的相对位置,调焦调平单元先扫描样品表面得到表面高低起伏,也即离焦量,后续物镜对此处成像时直接通过移动工件台来调节离焦的高度z,使得被测图形清晰。本发明装置结构简单,将其和具有较少镜片的深紫外物镜配合使用,可用于明场成像的半导体集成电路带图形硅片的缺陷检测,检测效率更高。

    一种深紫外的显微镜成像物镜

    公开(公告)号:CN114442300A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202210084790.0

    申请日:2022-01-25

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明公开了一种深紫外的显微镜成像物镜;其与筒镜协同工作;其等效数值孔径为0.75~0.85,工作波长为190~200 nm,等效焦距为3‑8mm,放大率为100‑200倍;其由沿着光轴顺序排列的6片球面镜片组成:第一镜片、第二镜片、第三镜片、第四镜片、第五镜片和第六镜片,其中第一镜片、第三镜片、第四镜片和第五镜片为正透镜,第二镜片和第四镜片为负透镜;与其协同工作的筒镜包含3片物镜;本发明的物镜可以应用于半导体集成电路带图形硅片的缺陷检测,其检测缺陷的分辨率可以达到58~64纳米或者更小。

    一种深紫外物镜设计中的调焦调平装置及其应用

    公开(公告)号:CN114509923B

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202210108915.9

    申请日:2022-01-28

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明公开了一种深紫外物镜设计中的调焦调平装置及其应用;本发明装置将两个垂直放置且黏附在一起的U型弹簧片与深紫外物镜相连,通过两个可调节螺丝调整物镜和调焦调平单元的相对位置,调焦调平单元先扫描样品表面得到表面高低起伏,也即离焦量,后续物镜对此处成像时直接通过移动工件台来调节离焦的高度z,使得被测图形清晰。本发明装置结构简单,将其和具有较少镜片的深紫外物镜配合使用,可用于明场成像的半导体集成电路带图形硅片的缺陷检测,检测效率更高。

    一种深紫外的显微镜成像物镜

    公开(公告)号:CN114442300B

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202210084790.0

    申请日:2022-01-25

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明公开了一种深紫外的显微镜成像物镜;其与筒镜协同工作;其等效数值孔径为0.75~0.85,工作波长为190~200 nm,等效焦距为3‑8mm,放大率为100‑200倍;其由沿着光轴顺序排列的6片球面镜片组成:第一镜片、第二镜片、第三镜片、第四镜片、第五镜片和第六镜片,其中第一镜片、第三镜片、第四镜片和第五镜片为正透镜,第二镜片和第四镜片为负透镜;与其协同工作的筒镜包含3片物镜;本发明的物镜可以应用于半导体集成电路带图形硅片的缺陷检测,其检测缺陷的分辨率可以达到58~64纳米或者更小。

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