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公开(公告)号：CN116913968A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310654774.5
申请日：2023-06-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种提高碳化硅场效应管短路能力的器件结构及其制备方法，其中结构包括：衬底层、外延层、P+区、P型阱、N+区、P区、多晶硅层、层间介质层和金属层；外延层层叠设置于衬底层上；外延层顶部一侧形成一第一注入区，第一注入区的外侧设置有P+区，第一注入区的内部自下而上层叠设置有P型阱、N+区和P区；外延层和N+区的上方设置有多晶硅层；多晶硅层的外部包裹有层间介质层；P+区和层间介质层上方设置有金属层。本发明的一种提高碳化硅场效应管短路能力的器件结构及其制备方法，在不显著增加器件比导通电阻的基础上，限制器件短路电流的大小，从而提高器件的短路耐受能力。
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