一种压电薄膜结构的制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119894348A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510030362.3

    申请日:2025-01-08

    Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域,公开了一种压电薄膜结构的制备方法,制备方法包括:在第一衬底一侧表面依次形成第一热氧层、波导芯和第一包层,形成波导衬底;第一包层包覆波导芯背向第二衬底的一侧表面和波导芯的侧面;在第二衬底一侧表面依次形成第二热氧层、第一电极层、缓冲层、压电薄膜层和第二电极层,形成压电薄膜衬底;在第一包层或者第二电极层一侧表面形成键合层;将波导衬底与压电薄膜衬底上下对准键合在一起;第二电极层或者第一包层与键合层对应接触并键合连接在一起;去除第二衬底和第二热氧层;图形化处理暴露出部分第二电极层。与相关技术相比,本发明可以提高压电薄膜层的质量和压电性能,进而提高压电调制器件的性能和可靠性。

    耦合波导结构及其调整方法、集成光学芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN119165580A

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202310688131.2

    申请日:2023-06-12

    Inventor: 刘敬伟 张新群

    Abstract: 本发明公开了一种耦合波导结构及其调整方法、集成光学芯片及其制备方法,涉及导波光学领域,该耦合波导结构包括:衬底;包覆层,制备于衬底的表面;单层波导,设于包覆层内;双层波导,设于包覆层内,所述双层波导和所述单层波导的结构参数经设计使得所述双层波导和所述单层波导的传播常数完全匹配,在不增加工艺复杂度的前提下,并在有限的设计空间内、最大化提高光耦合波导结构的耦合效率。

Patent Agency Ranking