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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112865782A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110193663.X
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本发明提供的一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，结合共模噪声抑制与冗余加固的原理，提供了双节点触发耦合的高压电平移位电路结构，不仅可以实现对LDMOS功率晶体管单粒子瞬态脉冲的免疫，而且能够有效的抑制电路中的共模噪声，展现了良好的太空应用前景。
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公开(公告)号：CN112769426A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110194269.8
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K19/003 , H03K19/0175
Abstract: 本发明提出了一种基于噪声信号延时叠加的自锁定噪声抑制电路，通过合理设置噪声信号的锁定脉冲宽度，能够有效的抑制噪声信号的传播路径，同时不影响正常工作信号的传播；且其电路结构与所用模块简单、占用面积小，具有较高的可靠性与应用价值。
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公开(公告)号：CN112865782B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110193663.X
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本发明提供的一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，结合共模噪声抑制与冗余加固的原理，提供了双节点触发耦合的高压电平移位电路结构，不仅可以实现对LDMOS功率晶体管单粒子瞬态脉冲的免疫，而且能够有效的抑制电路中的共模噪声，展现了良好的太空应用前景。
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公开(公告)号：CN215120759U
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202120382750.5
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K19/003 , H03K19/0175
Abstract: 本实用新型提出了一种基于延时自锁定的噪声抑制高压电平移位电路，通过合理设置噪声信号的锁定脉冲宽度，能够有效的抑制噪声信号的传播路径，同时不影响正常工作信号的传播；且其电路结构与所用模块简单、占用面积小，具有较高的可靠性与应用价值。
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公开(公告)号：CN215120762U
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202120383322.4
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本实用新型提供的一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，结合共模噪声抑制与冗余加固的原理，提供了双节点触发耦合的高压电平移位电路结构，不仅可以实现对LDMOS功率晶体管单粒子瞬态脉冲的免疫，而且能够有效的抑制电路中的共模噪声，展现了良好的太空应用前景。
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