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公开(公告)号:CN108845290B
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN201810261916.0
申请日:2018-03-28
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种超短基线阵抗相位模糊的方法。根据超短基线阵的阵型,获得同一方向上任意两个阵元间相位的最大模糊周期数,确定两个阵元间相位模糊周期数的取值范围;根据两个阵元测得的相位差和最大模糊周期数计算出该组阵元所有可能的目标方向角;计算目标方向角的扇面宽度系数,设置目标方向角的扇面宽度;根据所有可能的目标方向角和扇面宽度,在直方图上统计所有目标方向角度的出现次数,出现次数最多的角度即为估计的目标方向角;根据估计的目标方向角计算出各组阵元的模糊周期数的估计值。本发明能够有效实现抗相位模糊,突破了阵列尺寸对于基阵定位性能的限制。
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公开(公告)号:CN108845290A
公开(公告)日:2018-11-20
申请号:CN201810261916.0
申请日:2018-03-28
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种超短基线阵抗相位模糊的方法。根据超短基线阵的阵型,获得同一方向上任意两个阵元间相位的最大模糊周期数,确定两个阵元间相位模糊周期数的取值范围;根据两个阵元测得的相位差和最大模糊周期数计算出该组阵元所有可能的目标方向角;计算目标方向角的扇面宽度系数,设置目标方向角的扇面宽度;根据所有可能的目标方向角和扇面宽度,在直方图上统计所有目标方向角度的出现次数,出现次数最多的角度即为估计的目标方向角;根据估计的目标方向角计算出各组阵元的模糊周期数的估计值。本发明能够有效实现抗相位模糊,突破了阵列尺寸对于基阵定位性能的限制。
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