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公开(公告)号：CN114488380A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210198807.5
申请日：2022-03-02
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种高纵宽比超宽带超高消光比偏振器的设计方法，其由介质衬底和单层金属线栅构成，介质衬底为光学材料二氧化硅，介质衬底的上侧为亚波长结构的金属线栅，线偏振泵浦光入射后，借助金属线栅偏振选择特性，仅单一线偏振泵浦光输出；本发明单层金属线栅在研究波段和确定线栅厚度下可100％实现透射强度约70％和高于50dB超高消光比的偏振选择，且集成在光纤时，也可实现透射强度近70％和近50dB超高消光比的偏振选择，所述高纵宽比超宽带超高消光比偏振器提供了一种低成本、易加工、可集成的偏振器，在设计光学器件等领域应用前景广阔。
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