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公开(公告)号：CN120089254A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510148385.4
申请日：2025-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: G16C60/00 , G16C20/30 , G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 一种热控材料中红外波段光学性质的计算方法，属于航天器热控材料设计领域。本发明要解决现有的主流计算思路多聚焦于太阳光波段内的相关计算，而对中红外波段内材料光学性质的计算研究相对较少的问题。本发明方法：建立晶胞模型，通过逐步优化的方法对结构模型进行高精度优化；再计算二阶力常数矩阵、BORN有效电荷、介电常数张量、三阶力常数矩阵、三声子散射率；再确定具有红外活性的布里渊区中心的光学声子振动模式；根据洛伦兹振子模型计算材料的介电函数，并进一步计算材料的折射率和消光系数。本发明显著提高了热控材料中红外光学中红外波段光学性质的计算精度和效率，为新材料的研发提供了可靠的理论基础，可有效减少实验成本、缩短研发周期。
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公开(公告)号：CN119553229A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411757380.3
申请日：2024-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于高熵合金的多谱段兼容隐身涂层及其制备方法，属于功能性高熵合金涂层及其制备技术领域。本发明解决了现有隐身涂层存在的在宽光谱范围内实现的可见光和红外隐身效果差的问题。本发明利用磁控溅射技术制备高熵合金薄膜，通过元素的科学筛选和优化组合，并通过调控磁控溅射参数实现材料成分和结构的高效定制，从而获得均匀、致密且性能优异的高熵合金薄膜。测试结果表明该高熵合金涂层可见光波段吸收率约为0.95，在红外波段发射率约为0.05左右，实现了可见光和红外光谱范围的多谱段兼容隐身。
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公开(公告)号：CN117393874B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202311275906.X
申请日：2023-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于氧化还原靶向液流电池的废旧磷酸铁锂回收再生方法，属于废旧锂离子电池回收的技术领域。本发明要解决现有废旧磷酸铁锂正极再利用存在回收废液二次污染的问题。本发明方法：S1、拆解废旧磷酸铁锂电池，分离出正极片，冲洗，烘干；S2、计算废旧LFP正极片中锂离子的缺少量、面负载量和面容量；S3、构建锌铁液流电池；S4、正极片置于液流电池的正极储罐内，对液流电池恒流放电，放电结束自然冷却至室温。本发明的方法简便快捷，省去了机械法、酸浸或碱浸等繁琐步骤，降低了成本，避免对环境造成二次污染。此外，本发明对设备要求不高，非常适合进行工业化规模的锂电池回收再生。
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公开(公告)号：CN117191959B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202310969377.7
申请日：2023-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: G01N30/00
Abstract: 一种模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置及方法，属于污染防护技术领域。本发明解决了现有技术中缺少能够实现在地面进行空间环境模拟吸附材料对分子污染物的吸附性能试验的装置的问题。石英晶体微天平、沸石吸附涂层板及污染物释放源位于同一水平面，紫外线光源发出的紫外线光覆盖沸石吸附涂层板的涂层面设置，加热辐射板与温控仪连接，通过真空泵及真空计控制真空仓体内的真空度。能够准确控制模拟真实航天环境的温度、真空度和高能射线等条件，并在模拟航天环境下将空间污染物分子原位释放，对吸附材料的真空吸附能力进行测试，配备石英晶体微天平对污染物挥发速率实时监测以确定吸附是否达到饱和。
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公开(公告)号：CN116482131B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202310405984.0
申请日：2023-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明公开了一种评价深空探测用材料综合辐射屏蔽能力的方法，属于深空探测技术与辐射防护领域。本发明目前地面采用60Co产生的γ射线对材料辐射屏蔽能力进行评价测试手段无法正确反馈屏蔽材料在实际深空辐射环境下的辐射屏蔽性能的现状。本发明针对轨道环境中电子(和/或质子)能量的能谱分布，利用仿真计算将能谱分类为完全屏蔽区、部分屏蔽区和剂量增强区和无效区四个能区，在各能量分区中选取合适能量点进行辐照测试，以单能辐照该分区贡献总剂量等效评价材料对该能量分区的屏蔽能力，最后利用分区屏蔽能力的实验数据和整个能谱的初始剂量获得材料的综合屏蔽能力。本发明可以分析屏蔽材料在轨道全能谱下综合辐射屏蔽能力，具有通用性和先进性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118440548A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410684823.4
申请日：2024-05-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: C09D133/00 , C09D1/00 , C09D7/61
Abstract: 本发明公开了一种应用于月球表面的防尘黏附自清洁ZnO双层白色涂层及其制备方法，属于空间特种功能材料领域。本发明将大粒径ZnO粉体材料(粒径为200nm‑600nm)与树脂粘结混合均匀制成白色浆料，最后通过刮涂技术将浆料覆盖在合金基板上，固化后，将低表面能改性剂改性后的小粒径ZnO粉体(20nm‑100nm)分散在乙醇与水的混合溶液中，利用喷涂技术在热控涂层表面形成透明防尘涂层，最终形成防尘黏附自清洁的ZnO双层白色涂层。通过小粒径ZnO改性的工艺条件、浆料的颜基比小粒径、ZnO改性的工艺条件及喷涂的工艺条件，可以控制涂层材料的组分及表面形貌。本发明应适用于航天器的实际任务环境，可用于深空探测等领域。
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公开(公告)号：CN118440547A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410684817.9
申请日：2024-05-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: C09D133/00 , C09D7/62 , C09D5/32
Abstract: 本发明公开了一种耐紫外辐照、低太阳光谱吸收率的有机白色涂层材料及其制备方法，属于航天器热控材料领域。本发明要解决现有紫外辐照下热控涂层的性能稳定差的问题。本发明方法是利用ALD技术对ZnO粉体进行表面改性制备Y2O3@ZnO、CeO2@ZnO、La2O3@ZnO粉体材料，然后将稀土氧化物改性粉体材料(Y2O3@ZnO、CeO2@ZnO或La2O3@ZnO粉体材料)与有机粘合剂混合均匀制成白色浆料，最后通过喷涂技术将白色浆料喷涂在合金基板上，烘干后，得到所述白色涂层。本发明白色涂层的太阳吸收比低、发射率高，在极端条件(压力、温度、辐照)下的结构性能稳定、力学性能优异特性，适用于航天器的实际任务环境，可用于深空探测等领域。
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公开(公告)号：CN118351991A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410438199.X
申请日：2024-04-12
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种掺杂型钙钛矿锰氧化物智能热控涂层的多尺度设计方法；属于功能材料设计的技术领域。本发明要解决现有掺杂型钙钛矿锰氧化物的开发存在周期长，成本高的技术问题。方法如下：确定高温和低温状态下的LaMnO3晶体材料的晶胞模型；使用A原子取代不同位置处的La原子，建立掺杂材料的超晶胞模型；对超晶胞模型进行结构优化后自洽计算；计算光学常数；从微纳尺度构建具有微结构的钙钛矿智能热控涂层，基于计算获得的光学常数，利用时域有限差分方法计算掺杂型钙钛矿锰氧化物智能热控涂层的发射率。本发明方法可以显著减小实验过程中部分参数的选取范围，减少错误实验所造成的人物力损耗，提高智能热控涂层开发的效率。
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公开(公告)号：CN117139107B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202310851351.2
申请日：2023-07-12
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
Abstract: 本发明公开了一种具有分级光吸收结构的超黑涂层及其制备方法和应用，属于超黑涂层及其制备技术领域。本发明解决了传统超黑涂层本征光吸收性能较低，大角度散射较大的问题。本发明采用炭黑‑二氧化硅共混组分作为超黑功能基元材料，采用硅酸钾树脂作为涂层颜料主体，采用浓度梯度喷涂方式制备涂层主体，并采用离子束溅射技术在涂层表面制备微米级微孔，从而实现涂层多界面多尺度协同吸收机制，提升涂层高吸收与大角度低散射性能。
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公开(公告)号：CN117191924B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202310969383.2
申请日：2023-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: G01N27/62
Abstract: 一种高效分离和动态表征的分子污染物原位分析检测装置，属于分子污染物分析检测技术领域。本发明解决了现有的研究空间分子污染物组成的方法无法实现原位分离和实时动态分析的问题。加热辐射板安装在真空仓体的内侧壁，安装架转动安装在真空仓体的上部，污染物收集板的数量为多个且铺设在安装架的底端，石英晶体微天平的数量至少为两个且均嵌装在多个污染物收集板之间，且石英晶体微天平、热防护罩及分子污染物加热台由上到下正对布置，石英晶体微天平与QCM温度控制器电连接，质谱仪固装在真空仓体外部且安装架水平状态下石英晶体微天平、污染物收集板及质谱仪三者等高设置，真空仓体外部连接设置有真空泵，通过真空泵控制真空仓体内的真空度。
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