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公开(公告)号：CN108447593B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810184783.1
申请日：2018-03-06
Applicant: 苏州城邦达益材料科技有限公司 , 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种金属微纳米材料透明导电薄膜图案化的制备方法及其应用，涉及金属微纳米材料透明导电薄膜的制备领域。该制备方法，具体将含有金属微纳米材料的极性溶液涂布于柔性膜，干燥亲水性处理后，采用具有与柔性膜有一定粘性的极性溶液绘制任意图案，最后经0.3GHz‑300GHz的微波处理。应用微波与在金属微纳米材料上的极性分子相互作用而引起加热效应，进而实现对金属微纳米材料加热直至熔断，有效提高金属微纳米材料透明导电薄膜的性能。该制备方法无需额外的打印涂覆过程，所需的制备处理时间短，效率高，可实现大规模连续生产，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN104975343B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510304702.3
申请日：2015-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用氢等离子体多次刻蚀/退火循环工艺提高金刚石籽晶质量的方法，它涉及一种提高金刚石籽晶质量的方法。本发明是为了解决现有提高金刚石籽晶质量的方法过程耗时较长、操作相对复杂，并且容易导致籽晶表面质量劣化的问题，方法为：一、金刚石籽晶清洗；二、焊接；三、放置籽晶；四、氢等离子体刻蚀/退火，即完成。本发明氢等离子体刻蚀/退火处理能够在同一仪器中同时去除金刚石籽晶表面上由机械抛光引起的晶体缺陷、表面及亚表面损伤以及金刚石籽晶内部应力和缺陷，提高结晶度，从而获得高质量的籽晶，并极大简化了操作，节约了时间和成本。本发明应用于晶体生长技术领域。
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公开(公告)号：CN104988578A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510443127.5
申请日：2015-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法，本发明涉及优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明要解决现有MWCVD生长系统中等离子体密度对籽晶生长质量的影响，等离子体形态与籽晶接触方式导致侧向生长区域质量较低，以及等离子体中碳源沉积污染舱体等问题。方法：一、清洗；二、焊接；三、放置样品；四、放置等离子体挡板；五、生长前准备工作；六、金刚石生长，即完成利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明用于一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。
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公开(公告)号：CN104972189A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510459097.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B23K1/008 , B23K1/0008 , B23K1/206
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，传统焊接介质熔点过低、与金刚石相容性差或反应严重损伤籽晶，无法满足金刚石优质生长的问题。方法：一、清洗；二、选择焊接介质；三、放置样品；四、真空钎焊，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。
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公开(公告)号：CN104947069A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510394176.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法，它涉及一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法。本发明的目的是要解决目前金刚石微米棒阵列膜制备工艺复杂，制备成本较高，不能精确控制孔洞长径比的问题，本发明步骤为：硅片模板的制备、涂覆金刚石悬浮液、放置样品、金刚石微米棒阵列膜的生长、硅片模板的剥离，即完成。本发明利用多孔硅片模板代替AAO模板制备金刚石微米棒阵列膜，降低了薄膜的制备成本，简化了制备的工艺过程，通过调整硅片上孔洞的直径以及深度可以制备具有不同长径比的微米棒阵列，从而研究不同微米棒长径比对材料性能的影响。本发明应用于薄膜生长技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104878447A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510304886.3
申请日：2015-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，使用真空钎焊造成籽晶表面质量下降且不易观察的问题。方法：一、清洗；二、选择金箔；三、放置样品；四、原位连接；五、金刚石生长，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。
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公开(公告)号：CN105177533B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510563596.0
申请日：2015-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/517 , C23C16/27
Abstract: 一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，本发明涉及清洗MWCVD舱体的方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中沉积的金刚石、类金刚石及非晶碳层硬度耐磨度极高，且仪器本身特殊构造等因素造成难以将膜层除去的问题。方法：一、吹洗舱体；二、关舱；三、抽真空；四、原位清洗，即完成一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。本发明用于利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。
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公开(公告)号：CN104988578B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510443127.5
申请日：2015-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法，本发明涉及优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明要解决现有MWCVD生长系统中等离子体密度对籽晶生长质量的影响，等离子体形态与籽晶接触方式导致侧向生长区域质量较低，以及等离子体中碳源沉积污染舱体等问题。方法：一、清洗；二、焊接；三、放置样品；四、放置等离子体挡板；五、生长前准备工作；六、金刚石生长，即完成利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明用于一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。
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公开(公告)号：CN105177533A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510563596.0
申请日：2015-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/517 , C23C16/27
Abstract: 一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，本发明涉及清洗MWCVD舱体的方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中沉积的金刚石、类金刚石及非晶碳层硬度耐磨度极高，且仪器本身特殊构造等因素造成难以将膜层除去的问题。方法：一、吹洗舱体；二、关舱；三、抽真空；四、原位清洗，即完成一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。本发明用于利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。
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公开(公告)号：CN104975343A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510304702.3
申请日：2015-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用氢等离子体多次刻蚀/退火循环工艺提高金刚石籽晶质量的方法，它涉及一种提高金刚石籽晶质量的方法。本发明是为了解决现有提高金刚石籽晶质量的方法过程耗时较长、操作相对复杂，并且容易导致籽晶表面质量劣化的问题，方法为：一、金刚石籽晶清洗；二、焊接；三、放置籽晶；四、氢等离子体刻蚀/退火，即完成。本发明氢等离子体刻蚀/退火处理能够在同一仪器中同时去除金刚石籽晶表面上由机械抛光引起的晶体缺陷、表面及亚表面损伤以及金刚石籽晶内部应力和缺陷，提高结晶度，从而获得高质量的籽晶，并极大简化了操作，节约了时间和成本。本发明应用于晶体生长技术领域。
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