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公开(公告)号:CN116121806A
公开(公告)日:2023-05-16
申请号:CN202310123650.4
申请日:2023-02-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/065 , C25B1/27
Abstract: 一种氧化锰/氧化铈无定形多泡纳米管及其制备方法和应用。本发明属于储能材料电催化领域。本发明的目的是为了解决现有用于电催化合成氨的催化剂普遍存在常温常压下催化活性不高,产率和法拉第效率不高的技术问题。本发明的方法:首先,将铈源、碳源混合;然后加入锰源和粘结剂,得到前驱体溶液;最后将前驱体溶液通过静电纺丝成纤维,然后在空气中煅烧,得到无定形非晶相的Mn2O3和无定形非晶相的CeO2的复合物,即氧化锰/氧化铈无定形多泡纳米管。它为管壁中具有疏松气泡的一维多泡纳米管。它作为固氮催化剂用于电催化氮气还原生成氨领域。
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公开(公告)号:CN116706266A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310596129.2
申请日:2023-05-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 水系锌离子电池电解液添加剂、基于它的电解液及其制备方法和应用。本发明属于水系锌离子电池电解液领域。本发明提供了一种水系锌离子电池电解液添加剂、基于它的电解液及其制备方法和应用,本发明提供的电解液添加剂含铵根(NH4+)在Zn表面有较好的吸附作用,形成了“屏蔽效应”,阻断了水与Zn的直接接触,从而抑制了氢气产生(HER)。此外,NH4+和草酸根(C2O42–)可以和H+和OH–反应,能够协同维持电极‑电解质界面的pH值的稳定。稳定的电极‑电解液界面pH值可以促进Zn的均匀沉积和脱落过程,实现优异的循环性能。
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公开(公告)号:CN118659019A
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202410817760.5
申请日:2024-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M10/056 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种离子液体复合电解液的制备及在铝离子电池中的应用,涉及有机铝离子电池技术领域。本发明采用氯化咪唑、无水氯化铝和含氟类添加剂作为电解质,其中氯化咪唑和无水氯化铝的摩尔比为1:1.1~1:2;含氟类添加剂的浓度为0.002‑1mol/L;通过对氯化咪唑、无水氯化铝和含氟类添加剂进行筛选并控制用量,使得制备的离子液体复合电解液具有一定去除铝钝化膜、暴露新鲜铝金属表面的能力,并具有在循环过程中形成杂化电解质界面层、加速界面动力学的特性。此外,本发明还涉及特定的离子液体复合电解液中用于铝离子电池提升库伦效率和循环稳定性,并抑制铝枝晶生长的特性及其组合的用途。
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公开(公告)号:CN118073673A
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202410312410.3
申请日:2024-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种水系铝离子电池用水系电解液及其制备方法和应用。本发明属于水系铝离子电池电解液领域。本发明的目的是为了解决现有水系铝离子电池铝在水系电解质中易发生不利的析氢反应的技术问题。本发明的电解液由水溶性铝盐、水、噁烷类物质和氢键受体组成。其中噁烷类物质通过其不稳定的α‑氢与其中的醚氧官能团强协调,帮助降低腈类氢键受体物质的还原活性。此外,在与铝盐和水混合的过程中,大量的氢键受体显著破坏水分子的氢键网络,抑制水的分解活性提升电解质的电化学稳定性。由于‑CN基团的强配位作用,保证铝离子的可逆沉积/剥脱的同时抑制析氢负反应。应用于水系电解液领域。
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公开(公告)号:CN102583272A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201210019411.6
申请日:2012-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 蠕虫状Sb2Se3储氢材料及其制备方法,本发明涉及一种储氢材料及制备方法。是要解决现有的制备碳纳米管储氢材料的方法对设备要求严格、能耗量较大、且产物需要纯化的技术问题。蠕虫状Sb2Se3储氢材料是由酒石酸锑钾、亚硒酸钠、葡萄糖及混合溶剂采用溶剂热合成法制成的蠕虫状Sb2Se3。制备方法:将酒石酸锑钾、亚硒酸钠、葡萄糖和混合溶剂混合均匀后,加入反应釜反应,产物经洗涤后即得,该其蠕虫状Sb2Se3储氢材料直径为1~2μm,长度数十微米;每个蠕虫状Sb2Se3是由许多的Sb2Se3纳米片自组装而成的。该材料的放电容量高达248mAh g-1,纯度高达99%~100%,可应用于规模化储氢领域。
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公开(公告)号:CN102583271A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201210019404.6
申请日:2012-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 刺状Sb2Se3半导体储氢材料及其制备方法,本发明涉及一种半导体储氢材料及其制备方法。本发明是要解决现有的碳纳米管电化学储氢材料对设备要求严格、能耗量大且产物需要纯化的技术问题。刺状Sb2Se3半导体储氢材料由K(SbO)C4H4O6·0.5H2O、Na2SeO3、表面活性剂、乙二醇、水和水合肼用溶剂热合成法制成。方法:将K(SbO)C4H4O6·0.5H2O、Na2SeO3、表面活性剂、乙二醇、水和水合肼并混合后,进行水热反应,再过滤、洗涤、干燥即得。该材料比表面积4.3~4.5m2.g-1,放电容量203.3~210mA·h·g-1,纯度99%~100%,可用作电极材料。
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