公开(公告)号：CN104868014A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510233175.1

申请日：2015-05-08

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王先杰 ,  宋炳乾 ,  隋郁 ,  辛潮 ,  宋波

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/032

Abstract: 一种基于窄带隙铁电薄膜的光伏器件的制备方法，本发明属于半导体材料技术领域，它为了解决现有光伏器件中铁电体薄膜的带隙宽，光照产生的光电流较小的问题。光伏器件的制备方法：一、称取K2CO3、Nb2O5、BaCO3和NiO作为原料，采用固相反应法制备掺杂KNbO3陶瓷靶材；二、清洗单晶SrTiO3基片作为基底；三、在基底的表面沉积底电极；四、使用掺杂KNbO3陶瓷作为靶材，脉冲激光沉积KNbO3基薄膜；五、在KNbO3基薄膜表面沉积顶电极。本发明通过Ba、Ni共掺减小了铌酸钾的帯隙，从而能够吸收低于700nm的光，并使掺杂KNbO3薄膜的光电流达到20pA。