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发明公开
Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法无效

公开(公告)号：CN101327955A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810064785.3

申请日：2008-06-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王锐 , 王佳 , 刘维海 , 赵培白 , 徐玉恒

IPC: C01G33/00 , C30B29/30

Abstract: Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。它解决了现有技术制备的掺杂Fe的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、MgO和HfO2制成。方法：一、称取所需成分；二、烧结；三、采用提拉法生长晶体；四、极化处理，即得Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体。本发明在铌酸锂晶体中掺杂元素Mg、Hf和Fe，在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上，明显提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力，缩短了响应时间。

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