公开(公告)号：CN105632585B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201511014828.3

申请日：2015-12-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张晓东 ,  黄小萧 ,  温广武 ,  吴哲超 ,  赵培瑜 ,  侯思民 ,  赵义 ,  刘丁元 ,  郭禹泽 ,  章泰锟 ,  贾占林 ,  杨路路 ,  周宇航

IPC: H01B1/04 ,  H01B3/02 ,  H01B7/00 ,  H01B13/00 ,  H01B13/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种SiC@SiO2同轴纳米电缆及其制备方法，所述SiC@SiO2同轴纳米电缆是一种“芯部为3C‑SiC、外层为非晶态SiO2”的具有核壳结构的一维纳米材料，SiO2紧密包覆在芯部的SiC外面，其中界面处的结合为原子尺度的紧密结合。SiC@SiO2同轴纳米电缆的长度可以达到厘米量级，直径可以控制在10～1000nm，其中芯部SiC直径为2～1000nm，外壳SiO2层厚1～500nm。本发明解决了SiC纳米纤维表面容易被氧化、表面形貌和结构被破坏的问题，同时解决现有制备方法复杂、成本高、产品结构难以控制和难以规模化量产等问题，具有制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低及产率高的优点。

公开(公告)号：CN105632585A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201511014828.3

申请日：2015-12-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张晓东 ,  杨路路 ,  周宇航 ,  侯思民 ,  赵义 ,  刘丁元 ,  郭禹泽 ,  赵培瑜 ,  章泰锟 ,  贾占林 ,  黄小萧 ,  温广武

IPC: H01B1/04 ,  H01B3/02 ,  H01B7/00 ,  H01B13/00 ,  H01B13/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01B7/0009 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01B1/04 ,  H01B3/025 ,  H01B13/0036 ,  H01B13/06

Abstract: 本发明公开了一种SiC@SiO2同轴纳米电缆及其制备方法，所述SiC@SiO2同轴纳米电缆是一种“芯部为3C-SiC、外层为非晶态SiO2”的具有核壳结构的一维纳米材料，SiO2紧密包覆在芯部的SiC外面，其中界面处的结合为原子尺度的紧密结合。SiC@SiO2同轴纳米电缆的长度可以达到厘米量级，直径可以控制在10～1000nm，其中芯部SiC直径为2～1000nm，外壳SiO2层厚1～500nm。本发明解决了SiC纳米纤维表面容易被氧化、表面形貌和结构被破坏的问题，同时解决现有制备方法复杂、成本高、产品结构难以控制和难以规模化量产等问题，具有制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低及产率高的优点。