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发明公开
一种异质材料的真空原位键合方法及装置审中-实审

公开(公告)号：CN118073209A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410231575.8

申请日：2024-03-01

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 , 原小慧 , 戚晓芸 , 周相宇 , 许史娇 , 刘林杰

IPC: H01L21/50 , H01J37/18

Abstract: 本发明涉及芯片制造技术领域，具体而言，涉及一种异质材料的真空原位键合方法及装置；该键合方法包括：将非硅基材料样品和硅基材料样品进行等离子体活化处理；等离子活化处理使用的等离子气体包括含有卤族元素的气体；将经等离子活化处理后的非硅基材料样品和硅基材料样品在含铵根离子的水溶液蒸气中处理，实现表面软化及官能团修饰；在真空条件下，将经蒸气处理后的非硅基材料样品和硅基材料样品对准贴合后进行退火处理，得到键合样品对。采用本发明的方法，可以实现非硅基材料与硅基材料的真空原位键合，能够显著提高非硅基材料样品和硅基材料样品之间的键合强度，并且避免了在界面滴加大量键合液对待连接材料表面结构的破坏和填充。

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