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公开(公告)号：CN117230340A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311198285.X
申请日：2023-09-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯/铜复合材料的制备方法，涉及铜复合材料技术领域。本发明提供的石墨烯/铜复合材料的制备方法，包括以下步骤：制备铜材和过渡金属掺杂石墨烯的混合熔体；将所述混合熔体成型，得到石墨烯/铜复合材料。本发明利用过渡金属元素掺杂石墨烯，因过渡金属元素与铜熔体浸润性良好，从而能够改善石墨烯与铜熔体之间的浸润性，并且能够提高石墨烯粉体的密度，避免熔炼过程中石墨烯在铜熔体中上浮、团聚、偏析等问题。本发明能够实现石墨烯/铜复合材料的低成本大规模熔炼制备。
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公开(公告)号：CN109304478B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201710622972.8
申请日：2017-07-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一步法制备石墨烯/铜复合粉体的方法，属于无机合成和粉末冶金的技术领域。本发明解决了现有制备石墨烯/铜复合粉体存在石墨烯在铜表面包覆的均匀性不好、成本较高、工艺较复杂等技术问题。本发明方法如下：在无氧气气氛、气压为0.001Pa‑101325Pa条件下，将有机铜盐粉体以1‑500℃/min的速率升温至600‑1050℃，加热0.1min‑600min后在无氧气气氛下冷却，即得到石墨烯/铜复合粉体。本发明采用铜盐作为原料，价格便宜、设备和操作非常简单，易于进行批量化生产；本发明在一步加热的过程中同时实现了铜纳米粒子的制备与石墨烯在纳米粒子表面的包覆。
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公开(公告)号：CN110589809A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201810601338.0
申请日：2018-06-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/182 , C01B32/184 , H01G11/32
Abstract: 本发明公开了一种具有高体积比电容的石墨烯的制备方法，属于储能材料的技术领域。本发明要解决现有的石墨烯材料堆积密度低、体积比电容低的技术问题。本发明方法：一、将碳源均匀分散磷酸水溶液中；二、然后在200℃-550℃条件下热处理5min-90min，固液分离，干燥，得到具有高体积比电容的石墨烯。本发明制备的石墨烯材料，浸润性好，堆积密度高，体积比电容大，倍率性能优异，循环稳定等优点。本发明的石墨烯堆积密度1.1-1.7g cm-3，体积比电容为170-500F cm-3。
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公开(公告)号：CN108264041A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201611265849.7
申请日：2016-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/198 , C22C1/05 , C22C9/00
Abstract: 氧化石墨烯/铜氧化物复合粉体及其制备方法、微观层状结构石墨烯/铜复合材料制备方法，属于粉末冶金领域。本发明要解决由于石墨烯与金属铜复合困难，复合材料的拉伸强度并不理想的技术问题。本发明方法首先将氧化石墨烯与铜盐进行充分混合，通过控制反应温度、pH值等参数，在氧化石墨烯片表面析出氢氧化铜，这些纳米棒不仅能够倒伏在氧化石墨烯片表面，形成良好的结合，而且有助于片与片之间发生自组装，从而形成具有片层结构的复合粉体。后续经过还原和烧结可以得到具有微观层状结构的石墨烯/铜基复合材料。本发明方法原料便宜、设备和操作较简单，易于进行批量化生产，复合材料具有强度高，导电、导热性好的优点。
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公开(公告)号：CN103979954A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410200878.X
申请日：2014-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 一种AlN改性具有高压电和高力学性能的钛酸钡基复合陶瓷材料及其制备方法，它涉及一种具有高压电性能和高力学性能的钛酸钡基复合陶瓷材料及其制备方法。本发明的材料组成为(1-x)BaTiO3-xAlN，其中x＝0.75-10mol％。本发明用普通原料和传统固相合成法制备钛酸钡基陶瓷该体系为钙钛矿相，当x>1.5mol％时，产生BaAl2O4二次相。当AlN含量x＝1.5mol％时，复合陶瓷的压电常数d33值大于300pC/N，维氏硬度Hv可达5.9GPa。本发明方法提高了钛酸钡压电陶瓷的压电常数和力学性能，不需要精细粉体和特殊烧结工艺即可获得性能优异的BT基复合陶瓷，有较好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101333076A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810136853.2
申请日：2008-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 无机薄膜及其制备方法，它涉及薄膜及其制备方法。它解决了现有无机薄膜的制备工艺复杂、设备要求高、成膜条件苛刻、成本高、产品易开裂、易脱落的问题。无机薄膜由有机化合物单体、水、催化剂、溶剂A、溶剂B和有机硅高分子制成。制备方法：制备有机－无机混杂薄膜的前驱体溶液，采用喷涂、浸涂或刷涂的方式将该溶液涂于物体表面，经热处理即得到无机薄膜。本发明得到的薄膜制备方法简单易行、成膜条件容易、对设备要求简单、成本低廉，可广泛的应用于金属表面的抗氧化薄膜，负载催化剂的多孔膜，具有发光特性的发光薄膜，抗磨擦膜、多孔过滤膜、传感器结构膜的使用。
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公开(公告)号：CN101328023A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810136851.3
申请日：2008-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C03C17/00
Abstract: 有机－无机混杂薄膜及其制备方法，它涉及薄膜及其制备方法。它解决了现有有机－无机混杂薄膜的制备工艺复杂、设备要求高、成膜条件苛刻、成本高、产品易开裂、易脱落的问题。有机－无机混杂薄膜由有机化合物单体、水、催化剂、溶剂和有机硅高分子制成。制备方法：制备有机－无机混杂薄膜的前驱体溶液，采用涂覆或喷涂方式将该溶液涂于物体表面，即得到有机－无机混杂薄膜。本发明得到的薄膜韧性好、不易变形和脱落；制备方法简单易行、成膜条件容易、对设备要求简单、成本低廉，可广泛的应用于衬底膜、防划膜、金属表面防氧化膜、金属表面防腐蚀膜、增透膜、低反射膜、紫外线遮蔽膜、红外线遮蔽膜、着色膜的使用。
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公开(公告)号：CN101210292A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710144909.4
申请日：2007-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含β－锂霞石的铜基复合材料的制备方法，它涉及一种含β－锂霞石的复合材料的制备方法。它解决了β－锂霞石增强相与铜基不浸润也不发生界面反应，导致二者之间的界面强度低，难以制成致密、具有良好综合性能的复合材料的问题。含β－锂霞石的铜基复合材料按体积百分比由5％～60％的β－锂霞石粉末和40％～95％的铜合金粉末制成。制备方法：将β－锂霞石粉末和铜合金粉末混合，然后冷压、真空热压烧结；即得到含β－锂霞石的铜基复合材。本发明含β－锂霞石的铜基复合材料的密度为理论密度的96％～99.6％，增强相陶瓷颗粒分布均匀，β－锂霞石与铜基界面结合良好。本发明含β－锂霞石的铜基复合材料的制备方法简单。
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公开(公告)号：CN117604302B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202311536173.0
申请日：2023-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种利用微波制备石墨烯/铜复合粉体及复合材料的方法；属于无机合成和粉末冶金技术领域。本发明要解决现有石墨烯/铜复合粉体制备过程需要经过真空热处理设备耗时长，耗能高的问题。本发明方法：用有机物均匀包裹铜粉，然后放入石英容器中，充入惰性气体，置于微波设备中，调控微波功率和微波时间，待粉体冷却后获得石墨烯/铜复合粉体，经过烧结和变形处理后获得石墨烯/铜复合材料。本发明方法获得了高质量的石墨烯/铜复合粉体和具有优异力学和电学性能的石墨烯/铜复合材料。
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公开(公告)号：CN117263171A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311206420.0
申请日：2023-09-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/184 , C01B32/194 , C01B32/949 , C22C1/05
Abstract: 本发明提供了一种掺钼石墨烯及其燃烧合成制备方法，属于石墨烯材料技术领域。本发明提供的掺钼石墨烯燃烧合成制备方法，包括以下步骤：(1)将钼源、碳源和镁系还原剂混合，得到混合物；(2)将所述步骤(1)得到的混合物在无氧气氛中加热点燃，进行燃烧合成反应，得到含掺钼石墨烯的粗产物；(3)将所述步骤(2)得到的含掺钼石墨烯的粗产物依次进行酸洗和水洗，得到掺钼石墨烯。实施例的结果显示，本发明可以控制掺钼石墨烯中钼元素的掺杂比例，掺钼石墨烯呈片状结构，结构完整，结晶性较好，层数为10层以下，钼元素以单质钼和碳化钼两种形式负载在石墨烯表面。
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