公开(公告)号：CN116021011B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310027511.1

申请日：2023-01-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 巩春志 ,  王紫粵 ,  田修波 ,  周长壮 ,  亓均雷

IPC: B22F1/16 ,  C23C24/04 ,  C23C16/513 ,  C23C16/44 ,  B22F9/04

Abstract: 一种石墨烯包覆铜粉颗粒增强冷喷涂铜基复合涂层的制备方法，涉及一种铜基复合涂层的制备方法。本发明公开了一种石墨烯包覆铜粉颗粒增强冷喷涂铜基复合涂层的制备方法，通过PECVD技术，在铜粉颗粒表面原位生长出石墨烯，获得石墨烯包覆的铜粉颗粒，使用优化的低能球磨工艺，获得了石墨烯包覆铜粉颗粒均匀分布的铜复合粉末，避免了石墨烯团聚引起的组织缺陷，并基于冷喷涂技术的低温工艺和极快的沉积速率，可以提高涂层与基体的结合强度和涂层内部的组织均匀性，有利于获得优异热、电、机械性能和耐磨损性能的石墨烯包覆铜粉颗粒增强铜基复合涂层。

公开(公告)号：CN116329543A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310156402.X

申请日：2023-02-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 巩春志 ,  王紫粵 ,  田修波

IPC: B22F1/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  B22F9/04 ,  B22F1/12 ,  B22F1/07 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种纳米铜包覆石墨烯纳米片增强铜基复合粉末的制备方法，涉及一种铜基复合粉末的制备方法。为了解决现有的石墨烯在铜基体中易团聚以及石墨烯‑铜复合粉末的制备方法存在均匀性差、效率低、结合强度低和易产生环境污染的问题。本发明引入了竖直平面磁控溅射技术，利用改进后的磁控溅射颗粒搅拌工件装置，在石墨烯纳米片粉末表面生长出铜，获得铜包覆石墨烯纳米片粉末，可实现石墨烯纳米片粉末几乎全部外表面的铜包覆，使用优化的低能球磨工艺，获得的铜包覆石墨烯纳米片粉末均匀分布于铜粉的复合粉末，有效避免了石墨烯团聚，具有优异的热电、机械、耐磨损、耐腐蚀性能。

公开(公告)号：CN116021011A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202310027511.1

申请日：2023-01-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 巩春志 ,  王紫粵 ,  田修波 ,  周长壮 ,  亓均雷

IPC: B22F1/16 ,  C23C24/04 ,  C23C16/513 ,  C23C16/44 ,  B22F9/04

Abstract: 一种石墨烯包覆铜粉颗粒增强冷喷涂铜基复合涂层的制备方法，涉及一种铜基复合涂层的制备方法。本发明公开了一种石墨烯包覆铜粉颗粒增强冷喷涂铜基复合涂层的制备方法，通过PECVD技术，在铜粉颗粒表面原位生长出石墨烯，获得石墨烯包覆的铜粉颗粒，使用优化的低能球磨工艺，获得了石墨烯包覆铜粉颗粒均匀分布的铜复合粉末，避免了石墨烯团聚引起的组织缺陷，并基于冷喷涂技术的低温工艺和极快的沉积速率，可以提高涂层与基体的结合强度和涂层内部的组织均匀性，有利于获得优异热、电、机械性能和耐磨损性能的石墨烯包覆铜粉颗粒增强铜基复合涂层。