公开(公告)号：CN115477303B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202110667396.5

申请日：2021-06-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张墅野 ,  何鹏 ,  李卓然 ,  梁稀茗 ,  梁凯洺 ,  马鑫阳

IPC: C01B32/90

Abstract: 本发明公开了一种制备薄层分散二维MXenes材料的方法，属于层状材料制备技术领域。本发明解决了现有手风琴状MXenes内部的层片交联问题。本发明首先采用氢氟酸对前驱体MAX进行第一次刻蚀，去除MAX中的绝大部分M‑A金属键，获得了较为完整的经典手风琴状，然后采用刻蚀液对手风琴状Mxenes进行二次刻蚀，使刻蚀液中HF继续与手风琴状MXenes中残留的M‑A键发生反应，经过二次刻蚀后的手风琴状MXenes层片交联程度大大下降，厚度更薄，层间距更大，并且保证了结构的完整性，经过插层处理后的MXenes在短时间的超声震荡作用下从手风琴状结构上脱落，获得独立分散的薄层Mxenes纳米片。

公开(公告)号：CN115477303A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202110667396.5

申请日：2021-06-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张墅野 ,  何鹏 ,  李卓然 ,  梁稀茗 ,  梁凯洺 ,  马鑫阳

IPC: C01B32/90

Abstract: 本发明公开了一种制备薄层分散二维MXenes材料的方法，属于层状材料制备技术领域。本发明解决了现有手风琴状MXenes内部的层片交联问题。本发明首先采用氢氟酸对前驱体MAX进行第一次刻蚀，去除MAX中的绝大部分M‑A金属键，获得了较为完整的经典手风琴状，然后采用刻蚀液对手风琴状Mxenes进行二次刻蚀，使刻蚀液中HF继续与手风琴状MXenes中残留的M‑A键发生反应，经过二次刻蚀后的手风琴状MXenes层片交联程度大大下降，厚度更薄，层间距更大，并且保证了结构的完整性，经过插层处理后的MXenes在短时间的超声震荡作用下从手风琴状结构上脱落，获得独立分散的薄层Mxenes纳米片。