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公开(公告)号：CN119000505A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411208790.2
申请日：2024-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N17/00 , G01N23/2273 , G01N35/00
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池空间环境效应真空原位化学结构演化分析方法，属于电池真空原位化学结构演化分析技术领域，包括以下步骤：基于超高真空互联一体化装置，将钙钛矿太阳能电池安装至旗型样品托上，进行抽真空操作；当真空达到预设量级，基于传样杆传送至样腔的样品停放位中；然后基于机械臂旋转传送至综合环境模拟舱进行环境模拟处理；环境模拟处理完成后，传送至X射线光电子能谱仪中转腔的样品停放位中，再传送至所述X射线光电子能谱仪中进行原位化学结构演化分析。本发明能够避免钙钛矿太阳能电池材料受到自然环境中水/氧的影响而产生的附加效应，还原其在各种极端空间环境因素影响下的结构演变规律。
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公开(公告)号：CN102605317A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210090553.1
申请日：2012-03-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多光区发光Ag、Ga、N掺杂ZnO薄膜及其制备方法，它涉及ZnO薄膜及其制备方法。本发明是要解决现有的单一掺杂的ZnO薄膜发光强度弱、发光区域少的技术问题。本发明的多光区发光Ag、Ga、N掺杂ZnO薄膜是在衬底上溅射一层Ag、Ga、N共同掺杂的ZnO薄膜；方法：将ZnO粉末和Ga2O3粉末热压成陶瓷片，再贴上Ag，得到靶材；将靶材和衬底放到射频磁控溅射镀膜机中，将溅射室抽真空后通入N2和O2的混合气体，通过溅射得到膜片，膜片退火后，得到多光区发光Ag、Ga、N掺杂ZnO薄膜，该薄膜在紫外光、紫光、红橙光区域同时发光，可用于光电器件领域。
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公开(公告)号：CN119000506A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411208830.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池耦合空间环境地面模拟及原位表征方法，包括：选取第一焦点、第二焦点和第三焦点，分别对应综合环境模拟舱主腔体的样品处理位置、多因素环境耦合及原位析出气体测试位置和观察位置；将高低温样品架停放于第一焦点的高度，基于传样杆将钙钛矿太阳能电池传递至高低温样品架的样品停放位中；将高低温样品架的高度降低至第二焦点处，对钙钛矿太阳能电池模拟多因素空间环境进行试验，并在第三焦点处进行观察；基于四级杆质谱仪对钙钛矿太阳能电池在不同模拟空间环境作用下的析出气体进行实时监测。本发明提出的方法可针对低地球轨道高真空、高低温、紫外辐射、电子辐照、中性气体5大典型环境因素进行模拟试验。
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公开(公告)号：CN102605317B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210090553.1
申请日：2012-03-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多光区发光Ag、Ga、N掺杂ZnO薄膜的制备方法，它涉及ZnO薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的单一掺杂的ZnO薄膜发光强度弱、发光区域少的技术问题。本发明的多光区发光Ag、Ga、N掺杂ZnO薄膜的制备方法：将ZnO粉末和Ga2O3粉末热压成陶瓷片，再贴上Ag，得到靶材；将靶材和衬底放到射频磁控溅射镀膜机中，将溅射室抽真空后通入N2和O2的混合气体，通过溅射得到膜片，膜片退火后，得到多光区发光Ag、Ga、N掺杂ZnO薄膜，该薄膜在紫外光、紫光、红橙光区域同时发光，可用于光电器件领域。
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