一种基于生成对抗网络的多模态推理攻击的防御方法、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117494209A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311546450.6

    申请日:2023-11-20

    Abstract: 一种基于生成对抗网络的多模态推理攻击的防御方法、电子设备及存储介质,属于人工智能安全技术领域。为加强对联邦学习过程中推理攻击的特征数据安全性,本发明设置联邦学习框架基础为:各参与方在每轮联邦学习模型训练前向中央服务器声明本地训练数据的特征标签,用于联邦学习的特征对齐;构建成员推理攻击方法,采集参与方的训练数据,然后攻击方重构参与方的训练数据,将重构的数据,可搜集到的相关数据和参与方自身持有的数据作为训练数据集,用于训练多模态推理攻击模型;构建多模态推理攻击模型,包括样本数据为文本的文本推理攻击模型、样本数据为图像的图像推理攻击模型;针对构建的多模态推理攻击模型,构建多模态推理攻击的防御方法。

    一种自动学习索引方法及系统
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115712625A

    公开(公告)日:2023-02-24

    申请号:CN202211485312.7

    申请日:2022-11-24

    Abstract: 一种自动学习索引方法及系统,具体涉及一种根据计算机数据特征自动推荐最佳索引的方法及系统,为了解决计算机的学习索引在建立时,需要人为定义学习索引的层数以及每个节点相应的模型,导致索引建立的空间代价较大,建立过程难度较高,建立时间较长的问题,它包括构建学习索引模型,学习索引模型包括回归模型和随机森林模型,利用计算机数据库作为训练集对学习索引模型进行训练,输入训练数据的键key,输出训练数据在计算机数据库中的位置。属于数据库索引领域。

    一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法

    公开(公告)号:CN113707560A

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN202010435764.9

    申请日:2020-05-21

    Abstract: 一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法。本发明属于电子和光电子领域。本发明是要解决现有改善TMDs电接触方法改善效果不明显,以及绝缘插入层厚度严格受限的技术问题。本发明方法如下:一、通过机械剥离方法制备TMDs层,通过干法转移将TMDs层转移到清洗干净的SiO2/Si衬底上的SiO2一侧,然后进行退火处理;二、通过机械剥离方法制备InSe纳米片层,然后通过光学显微镜和原子力显微镜选择所需厚度的InSe纳米片层,并通过干法转移将InSe纳米片层转移至步骤一后的TMDs层上,然后进行退火处理,退火后自然冷却至室温,得到InSe与TMDs的异质结。本发明的方法简单有效,不同于其他插入的绝缘层必须严格地限制在1‑3nm之内,可有效地改善TMDs的电接触。

    一种平面柔性差分脉冲涡流探头及其使用方法

    公开(公告)号:CN114062485A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111466751.9

    申请日:2021-12-03

    Abstract: 本发明公开了一种平面柔性差分脉冲涡流探头及其使用方法。平面柔性差分脉冲涡流探头由三片加工有螺旋线圈的柔性电路板构成,包括激励线圈和两组检测线圈,每组检测线圈包括以差分方式连接的两个线圈,两组检测线圈正交放置,紧贴在激励线圈下方。将探头沿着其中一组检测线圈圆心连线方向扫查,通过检测线圈拾取感应磁场的变化,从而检测到不同方向的缺陷信息。该探头无需耦合剂即可与试件表面保持良好的耦合,采用差分式结构以提高检测灵敏度和检测效率,采用正交的双通道柔性平面检测线圈,解决传统圆柱形激励‑接收探头耦合效果不好、检测区域有限的问题,实现对表面裂纹、孔状缺陷的检测。

    一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法

    公开(公告)号:CN113707560B

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202010435764.9

    申请日:2020-05-21

    Abstract: 一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法。本发明属于电子和光电子领域。本发明是要解决现有改善TMDs电接触方法改善效果不明显,以及绝缘插入层厚度严格受限的技术问题。本发明方法如下:一、通过机械剥离方法制备TMDs层,通过干法转移将TMDs层转移到清洗干净的SiO2/Si衬底上的SiO2一侧,然后进行退火处理;二、通过机械剥离方法制备InSe纳米片层,然后通过光学显微镜和原子力显微镜选择所需厚度的InSe纳米片层,并通过干法转移将InSe纳米片层转移至步骤一后的TMDs层上,然后进行退火处理,退火后自然冷却至室温,得到InSe与TMDs的异质结。本发明的方法简单有效,不同于其他插入的绝缘层必须严格地限制在1‑3nm之内,可有效地改善TMDs的电接触。

    一种基于GAN的多模态重构攻击的防御方法

    公开(公告)号:CN117494143A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311546452.5

    申请日:2023-11-20

    Abstract: 一种基于GAN的多模态重构攻击的防御方法,属于人工智能安全技术领域。为加强GAN多模态重构攻击的特征数据安全性,本发明攻击方获取其他参与方参与联邦学习训练过程中的梯度信息;攻击方根据其他参与方参与联邦学习训练过程中的梯度信息进行数据重构攻击;构建抵御数据重构攻击的防御方法,包括在联邦学习的每轮训练开始前,中央服务器随机选择不定数量的参与方参与本次训练,并将当前全局模型参数发送给被选中的每一个参与方;对于中央服务器发送至其他参与方参与联邦学习训练过程中的梯度信息数据,通过梯度压缩和稀疏化的方式进行防御;对于中央服务器发送至其他参与方参与联邦学习训练过程中的梯度信息数据传输过程中采用设计的加密传输协议。

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