公开(公告)号：CN105459564A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510822753.5

申请日：2015-11-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  刘仕超 ,  张浩谦 ,  张标 ,  刘强 ,  高烨

IPC: B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  B32B9/04 ,  B32B9/00 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584

CPC classification number: B32B37/06 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B37/1018 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/96

Abstract: 界面自韧化Si3N4/SiC片层陶瓷材料的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明的目的是为了解决单一的氮化硅陶瓷和碳化硅陶瓷材料的脆性较大，易断裂的技术问题。本方法如下：一、陶瓷浆料的制备；二、制备Si3N4生带、SiC生带以及烧结助剂生带；三、制备Si3N4/SiC片层复合材料生坯；四、制备界面自韧化Si3N4/SiC片层陶瓷材料。其中，界面处大量存在的烧结助剂有利于氮化硅棒晶生长，大尺寸的氮化硅棒晶将氮化硅层与碳化硅层连接起来，产生界面自韧化的效果。材料的弯曲强度大于700MPa，收缩率﹤15％，同时，其韧性可到16MPa·m1/2以上，完全可以满足高韧性陶瓷材料的使用要求。本材料的断裂功﹥6KJ/m2，材料的断裂预警明确，具有高的安全系数。本发明属于陶瓷材料的制备领域。

公开(公告)号：CN105459564B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201510822753.5

申请日：2015-11-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  刘仕超 ,  张浩谦 ,  张标 ,  刘强 ,  高烨

IPC: B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  B32B9/04 ,  B32B9/00 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584

Abstract: 界面自韧化Si3N4/SiC片层陶瓷材料的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明的目的是为了解决单一的氮化硅陶瓷和碳化硅陶瓷材料的脆性较大，易断裂的技术问题。本方法如下：一、陶瓷浆料的制备；二、制备Si3N4生带、SiC生带以及烧结助剂生带；三、制备Si3N4/SiC片层复合材料生坯；四、制备界面自韧化Si3N4/SiC片层陶瓷材料。其中，界面处大量存在的烧结助剂有利于氮化硅棒晶生长，大尺寸的氮化硅棒晶将氮化硅层与碳化硅层连接起来，产生界面自韧化的效果。材料的弯曲强度大于700MPa，收缩率﹤15％，同时，其韧性可到16MPa·m1/2以上，完全可以满足高韧性陶瓷材料的使用要求。本材料的断裂功﹥6KJ/m2，材料的断裂预警明确，具有高的安全系数。本发明属于陶瓷材料的制备领域。