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公开(公告)号：CN118711640A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410736522.1
申请日：2024-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种基于读参考电压校准的3‑D闪存低温可靠性和读取性能提升方法及装置，涉及固态存储领域。为解决现有技术中尚未公开一种在低温环境下有效提升闪存的可靠性和读取性能的技术方案的缺陷，本发明提供的技术方案为：闪存低温可靠性提升模型建立方法，所述方法包括：采集闪存在不同温度下的阈值电压偏移数据集，并预处理的步骤；根据预处理后的所述阈值电压偏移数据集的数据，得到不同温度与最优读参考电压偏移之间的初步关系模型的步骤；根据预设的所述闪存的影响因素，对所述初步关系模型进行修正，得到修正模型的步骤；根据所述修正模型和所述影响因素，建立综合补偿模型的步骤。适合应用于NAND Flash的读参考电压校准的工作中。
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