公开(公告)号：CN118690542B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410716461.2

申请日：2024-06-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 由佳欣 ,  丁希平 ,  金鑫宇 ,  赵海东 ,  孙志辉

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明公开了一种密封电磁继电器内部气氛对触点接触电阻影响的仿真预测方法，所述方法通过对以往密封电磁继电器的重要数据记录分析其内部气氛种类和含量变化，推测出寿命试验过程中可能发生的化学反应，采用COMSOL Multiphysics仿真软件进行密封电磁继电器触点表面有机膜、碳沉积的生成量仿真，记录仿真结果中的密封电磁继电器内部气氛成分及含量，并观察触点表面是否生成相应的金属氧化物，将记录的密封电磁继电器触点表面有机膜、碳沉积的生成量量化为密封电磁继电器接触电阻的一部分，根据失效后的接触电阻推算密封电磁继电器的失效阈值。本发明的预测仿真方法能够解决密封电磁继电器触点接触电阻积碳量化和失效阈值计算的问题。

公开(公告)号：CN118690542A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410716461.2

申请日：2024-06-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 由佳欣 ,  丁希平 ,  金鑫宇 ,  赵海东 ,  孙志辉

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明公开了一种密封电磁继电器内部气氛对触点接触电阻影响的仿真预测方法，所述方法通过对以往密封电磁继电器的重要数据记录分析其内部气氛种类和含量变化，推测出寿命试验过程中可能发生的化学反应，采用COMSOL Multiphysics仿真软件进行密封电磁继电器触点表面有机膜、碳沉积的生成量仿真，记录仿真结果中的密封电磁继电器内部气氛成分及含量，并观察触点表面是否生成相应的金属氧化物，将记录的密封电磁继电器触点表面有机膜、碳沉积的生成量量化为密封电磁继电器接触电阻的一部分，根据失效后的接触电阻推算密封电磁继电器的失效阈值。本发明的预测仿真方法能够解决密封电磁继电器触点接触电阻积碳量化和失效阈值计算的问题。