公开(公告)号：CN119980132A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510195655.7

申请日：2025-02-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 唐莎巍 ,  周俊杰 ,  胡津

IPC: C23C8/10

Abstract: 基于变压氧化工艺在钢表面制备耐蚀氧化层的方法，本发明是要解决现有提高钢材耐蚀性能的方法涂层易剥落，制备工艺较复杂的问题。制备耐蚀氧化层的方法：一、将钢基材置于管式炉内，抽真空至炉内的气压至1kPa～50kPa，将钢基材升温至500～1400℃进行预氧化处理；二、向管式炉内通入空气，升高管式炉内的气压至80kPa～101.325kPa，将钢基材升温至500～1400℃进行再氧化处理。本发明以碳钢作为基体，采用原位氧化处理的方式，制备方法简便易行，氧化层厚度可以调控，便于大规模生产，所得到的氧化层与基体的结合良好，具有良好的耐腐蚀性能、绝缘性、表面粗糙度低等特性。

公开(公告)号：CN114940504A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210629504.4

申请日：2022-06-06

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 夏龙 ,  周俊杰 ,  王鑫宇

IPC: C01F7/02 ,  C01F7/42

Abstract: 本发明公开了一种氧化铝微米管及制备方法，属于纳米管制备技术领域。氧化铝微米管的制备方法，包括以下步骤：将碳纤维材料和铝粉高温煅烧、氧化反应，得到所述氧化铝微米管。本发明利用商用天然及人工合成纤维作为模板，原料廉价易得，制备方法简便易行，管壁厚度可以精密调控，便于大规模生产，所得到的氧化铝微米管具有较大的管径和较薄的管壁厚度，质轻、蓬松，且具有一定的机械强度。

公开(公告)号：CN106747423A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710074301.2

申请日：2017-02-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  罗蕙佳代 ,  张洪军 ,  张利伟 ,  李方喆 ,  周俊杰 ,  曹璐 ,  应鹏展 ,  刘爽 ,  李谢凝

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624

Abstract: 一种单相NBT基反铁电陶瓷及其制备方法，涉及一种反铁电陶瓷及其制备方法。本发明为了解决现有制备NBT基单相反铁电陶瓷的方法中阳离子分布不均匀和反铁电相变在较高温度才能发生的问题。本发明单相NBT基反铁电陶瓷的化学式为(A0.5Bi0.5)xByTi0.95Nb0.05O3.025；制备方法：一、制备溶胶A；二、制备溶胶B；三、制备溶液C；四、制备溶胶D；五、制备溶液E；六、滴加、搅拌；七、干燥；八、煅烧；九、研磨；十、烧结。本发明制备单相NBT基反铁电陶瓷为纯相，尺度均匀，反铁电相变温度低(约80℃)。本发明适用于反铁电陶瓷制备。

公开(公告)号：CN106747423B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201710074301.2

申请日：2017-02-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  罗蕙佳代 ,  张洪军 ,  张利伟 ,  李方喆 ,  周俊杰 ,  曹璐 ,  应鹏展 ,  刘爽 ,  李谢凝

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624

Abstract: 一种单相NBT基反铁电陶瓷及其制备方法，涉及一种反铁电陶瓷及其制备方法。本发明为了解决现有制备NBT基单相反铁电陶瓷的方法中阳离子分布不均匀和反铁电相变在较高温度才能发生的问题。本发明单相NBT基反铁电陶瓷的化学式为(A0.5Bi0.5)xByTi0.95Nb0.05O3.025；制备方法：一、制备溶胶A；二、制备溶胶B；三、制备溶液C；四、制备溶胶D；五、制备溶液E；六、滴加、搅拌；七、干燥；八、煅烧；九、研磨；十、烧结。本发明制备单相NBT基反铁电陶瓷为纯相，尺度均匀，反铁电相变温度低(约80℃)。本发明适用于反铁电陶瓷制备。

公开(公告)号：CN106673645B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201710074964.4

申请日：2017-02-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  李方喆 ,  张洪军 ,  罗蕙佳代 ,  周俊杰 ,  曹璐 ,  应鹏展 ,  张利伟 ,  刘爽 ,  李谢凝

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/624

Abstract: 一种镶嵌结构的多铁性复相陶瓷的制备方法，涉及一种镶嵌结构的多铁性复相陶瓷的制备方法。本发明是为了解决目前的复相多铁材料比单相多铁材料高出多个数量级的漏电流的技术问题。本发明：一、制备溶胶A；二、制备溶胶B；三、制备溶液C；四、制备溶胶D；五、制备溶胶E；六、制备混合溶胶F；七、烘干；八、煅烧；九、研磨；十、造粒；十一、压片；十二、排胶；十三、烧结。本发明的优点：本发明可获得具有镶嵌结构的多铁性复相陶瓷，其漏电流小于0‑3、1‑3、2‑2型多铁性复相陶瓷。本发明应用于制备多铁性复相陶瓷。

公开(公告)号：CN106673645A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201710074964.4

申请日：2017-02-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  李方喆 ,  张洪军 ,  罗蕙佳代 ,  周俊杰 ,  曹璐 ,  应鹏展 ,  张利伟 ,  刘爽 ,  李谢凝

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/624

Abstract: 一种镶嵌结构的多铁性复相陶瓷的制备方法，涉及一种镶嵌结构的多铁性复相陶瓷的制备方法。本发明是为了解决目前的复相多铁材料比单相多铁材料高出多个数量级的漏电流的技术问题。本发明：一、制备溶胶A；二、制备溶胶B；三、制备溶液C；四、制备溶胶D；五、制备溶胶E；六、制备混合溶胶F；七、烘干；八、煅烧；九、研磨；十、造粒；十一、压片；十二、排胶；十三、烧结。本发明的优点：本发明可获得具有镶嵌结构的多铁性复相陶瓷，其漏电流小于0‑3、1‑3、2‑2型多铁性复相陶瓷。本发明应用于制备多铁性复相陶瓷。