公开(公告)号：CN107959432B

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201711367579.5

申请日：2017-12-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘鸿鹏 ,  周自超 ,  吴文韬 ,  刘桂花 ,  王盼宝 ,  王卫

IPC: H02M7/5387 ,  H02M7/5395 ,  H02M1/32

Abstract: 一种箝位电路及具有提升升压比并抑制直流母线电压尖峰的Y源逆变器，涉及逆变器技术领域。本发明是为了解决现有Z源逆变器功率等级受限，且电路利用效率低的问题。二极管D2的阴极同时连接电容C3的一端和电感L0的一端，电容C4的两端分别连接二极管D2的阳极和电感L0的另一端，二极管D2的阳极和电容C3的另一端作为箝位电路的电压输入端，电感L0的另一端和电容C3的另一端作为箝位电路的电压输出端。Y源网络电路的电压输出端连接箝位电路的电压输入端，箝位电路的电压输出端连接逆变桥电路的电压输入端，逆变桥电路用于为负载或电网供电。

公开(公告)号：CN107959432A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201711367579.5

申请日：2017-12-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘鸿鹏 ,  周自超 ,  吴文韬 ,  刘桂花 ,  王盼宝 ,  王卫

IPC: H02M7/5387 ,  H02M7/5395 ,  H02M1/32

Abstract: 一种箝位电路及具有提升升压比并抑制直流母线电压尖峰的Y源逆变器，涉及逆变器技术领域。本发明是为了解决现有Z源逆变器功率等级受限，且电路利用效率低的问题。二极管D2的阴极同时连接电容C3的一端和电感L0的一端，电容C4的两端分别连接二极管D2的阳极和电感L0的另一端，二极管D2的阳极和电容C3的另一端作为箝位电路的电压输入端，电感L0的另一端和电容C3的另一端作为箝位电路的电压输出端。Y源网络电路的电压输出端连接箝位电路的电压输入端，箝位电路的电压输出端连接逆变桥电路的电压输入端，逆变桥电路用于为负载或电网供电。

公开(公告)号：CN114744861B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210542544.5

申请日：2022-05-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王明义 ,  吴文韬 ,  叶佳兴 ,  张成明 ,  李立毅

IPC: H02M1/088 ,  H02M1/38

Abstract: 一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路，涉及电力电子技术领域。本发明是为了解决SiCMOSFET对线路的寄生参数敏感，器件高速动作会引发串扰，进而不适用于传统的SiMOSFET驱动电路的问题。本发明所述的一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路，在每个桥臂SiC MOSFET的栅源极之间均设有一组并联分压结构，所述并联分压结构包括电容C1、电阻R1和电阻R4，电容C1的一端、电阻R1的一端和电阻R4的一端均与SiC MOSFET的栅极相连，电容C1的另一端、电阻R1的另一端和电阻R4的另一端均与SiC MOSFET的源极相连。

公开(公告)号：CN114744861A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210542544.5

申请日：2022-05-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王明义 ,  吴文韬 ,  叶佳兴 ,  张成明 ,  李立毅

IPC: H02M1/088 ,  H02M1/38

Abstract: 一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路，涉及电力电子技术领域。本发明是为了解决SiCMOSFET对线路的寄生参数敏感，器件高速动作会引发串扰，进而不适用于传统的SiMOSFET驱动电路的问题。本发明所述的一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路，在每个桥臂SiC MOSFET的栅源极之间均设有一组并联分压结构，所述并联分压结构包括电容C1、电阻R1和电阻R4，电容C1的一端、电阻R1的一端和电阻R4的一端均与SiC MOSFET的栅极相连，电容C1的另一端、电阻R1的另一端和电阻R4的另一端均与SiC MOSFET的源极相连。