公开(公告)号：CN105733309A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201511014849.5

申请日：2015-12-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张晓东 ,  杨路路 ,  周宇航 ,  闫旭 ,  黄小萧 ,  温广武 ,  侯思民 ,  赵义 ,  刘文会 ,  刘璐

IPC: C09C1/28 ,  C09C3/06

CPC classification number: Y02P20/124 ,  C09C1/28 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/80 ,  C09C1/0081 ,  C09C3/06

Abstract: 本发明公开了一种表面改性的SiC纳米线及其制备方法与应用，所述方法为：将SiC纳米线放置到管式烧结炉或可以气氛保护的加热装置中，通入氧气和氮气混合气流，然后启动加热，由室温加热至700～1400℃，控制加热速率为5～20℃/min，保温时间为30～120min，即可得到表面改性后的SiC纳米线。表面改性后的SiC纳米线为核壳结构的一维纳米材料，芯部为SiC，外层为SiO2，SiO2紧密包覆在SiC外面形成致密的包覆层，SiO2包覆层为非晶态，界面处的结合为原子尺度的紧密结合，外部的SiO2包覆层厚度可以控制为2nm~500nm。本发明解决了现有碳化硅纳米线在使用过程中的活性低、难分散、易氧化、界面结合差等问题，具有制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低、产率高的优点。

公开(公告)号：CN105565319A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201511014830.0

申请日：2015-12-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张晓东 ,  杨路路 ,  周宇航 ,  闫旭 ,  侯思民 ,  赵义 ,  黄小萧 ,  温广武 ,  刘文会 ,  刘璐

IPC: C01B31/36 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02P20/124 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/80

Abstract: 本发明公开了一种基于空气热氧化对SiC纳米线进行表面改性的方法与应用，所述方法为：将SiC纳米线放置到空气烧结炉或可以直接在空气中加热的装置中，直接在空气气氛中加热，由室温加热至700～1400℃，控制加热速率为5～20℃/min，保温时间为5～120min，即可得到表面改性后的SiC纳米线。表面改性后的SiC纳米线为核壳结构的一维纳米材料，芯部为SiC，外层为SiO2，SiO2紧密包覆在SiC外面形成致密的包覆层，界面处的结合为原子尺度的紧密结合，外部的SiO2包覆层厚度可以控制为2nm~500nm。本发明解决了现有碳化硅纳米线在使用过程中的活性低、难分散、易氧化、界面结合差等问题，具有制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低、产率高的优点。