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公开(公告)号：CN103981531B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410241942.9
申请日：2014-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种荧光碳点的制备方法，本发明涉及荧光碳点的制备方法。本发明要解决现有碳点制备方法产率低、操作复杂、碳点粒径分布不均及碳点荧光稳定性差的问题。方法：一、预处理；二、液相等离子放电，即得到荧光碳点粉体。本发明制备的碳点荧光稳定，碳点粒径分布均匀，放电时间增加会导致碳点产率增加，适合碳点的工业化生产，设备简单、操作方便。本发明用于一种荧光碳点的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104914077B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510329909.6
申请日：2015-06-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 一种基于上转换发光表征钛酸锶钡陶瓷居里温度的方法，本发明属于稀土掺杂钛酸锶钡(BST)陶瓷的制备领域，它为了解决传统介电温谱表征钛酸锶钡陶瓷居里温度的方法对钛酸锶钡陶瓷样品外形要求严格以及上电极处理对样品形成损害的问题。表征方法：一、BaCO3、SrCO3和TiO2粉末混合，制备得到BST粉体；二、BST粉体干压成型，烧结处理后得到BST陶瓷；三、测试不同温度下BST陶瓷的上转换发光的光谱，做出发光波长处的发光强度随温度的变化曲线，曲线上变化率最大的点所对应的温度即为居里温度点。本发明基于上转换发光的表征方法对测试样品外形、表面积以及厚度均无限制，而且测试准确度高。
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公开(公告)号：CN103981531A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410241942.9
申请日：2014-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种荧光碳点的制备方法，本发明涉及荧光碳点的制备方法。本发明要解决现有碳点制备方法产率低、操作复杂、碳点粒径分布不均及碳点荧光稳定性差的问题。方法：一、预处理；二、液相等离子放电，即得到荧光碳点粉体。本发明制备的碳点荧光稳定，碳点粒径分布均匀，放电时间增加会导致碳点产率增加，适合碳点的工业化生产，设备简单、操作方便。本发明用于一种荧光碳点的制备。
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公开(公告)号：CN104894541B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201510329908.1
申请日：2015-06-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 一种高光生电流Pb(Zr0.52‑x，Cox，Ti0.48)O3‑δ薄膜的制备方法，本发明涉及一种铁电薄膜材料的制备方法，它为了解决现有锆钛酸铅薄膜光生电流小、光电转换能力低的问题。制备薄膜的方法：一、称取原料；二、将原料醋酸铅、钛酸四丁酯，丙醇锆和硝酸钴溶于乙二醇甲醚中，制备得到前驱体溶胶；三、前驱体溶胶滴在衬底上，经过多次滴胶－甩膜－预烧的过程，得到非晶态薄膜；四、非晶态薄膜置于退火炉中进行退火处理，完成此铁电薄膜的制备。本发明采用掺杂过渡元素Co的方法，提高了光生电流值，该Pb(Zr0.52‑x，Cox，Ti0.48)O3‑δ薄膜最大的光生电流可达2×10‑2uA。
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公开(公告)号：CN104914077A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510329909.6
申请日：2015-06-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 一种基于上转换发光表征钛酸锶钡陶瓷居里温度的方法，本发明属于稀土掺杂钛酸锶钡(BST)陶瓷的制备领域，它为了解决传统介电温谱表征钛酸锶钡陶瓷居里温度的方法对钛酸锶钡陶瓷样品外形要求严格以及上电极处理对样品形成损害的问题。表征方法：一、BaCO3、SrCO3和TiO2粉末混合，制备得到BST粉体；二、BST粉体干压成型，烧结处理后得到BST陶瓷；三、测试不同温度下BST陶瓷的上转换发光的光谱，做出发光波长处的发光强度随温度的变化曲线，曲线上变化率最大的点所对应的温度即为居里温度点。本发明基于上转换发光的表征方法对测试样品外形、表面积以及厚度均无限制，而且测试准确度高。
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公开(公告)号：CN104894541A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510329908.1
申请日：2015-06-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 一种高光生电流Pb(Zr0.52-x，Cox，Ti0.48)O3-δ薄膜的制备方法，本发明涉及一种铁电薄膜材料的制备方法，它为了解决现有锆钛酸铅薄膜光生电流小、光电转换能力低的问题。制备薄膜的方法：一、称取原料；二、将原料醋酸铅、钛酸四丁酯，丙醇锆和硝酸钴溶于乙二醇甲醚中，制备得到前驱体溶胶；三、前驱体溶胶滴在衬底上，经过多次滴胶－甩膜－预烧的过程，得到非晶态薄膜；四、非晶态薄膜置于退火炉中进行退火处理，完成此铁电薄膜的制备。本发明采用掺杂过渡元素Co的方法，提高了光生电流值，该Pb(Zr0.52-x，Cox，Ti0.48)O3-δ薄膜最大的光生电流可达2×10-2uA。
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