公开(公告)号：CN119569464A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411782212.X

申请日：2024-12-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 严强 ,  陈鑫昊 ,  郭政佑 ,  高博 ,  杨强 ,  李金平 ,  孟松鹤

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种具有高密度、优异抗氧化性能的非晶态SiBCN陶瓷块体及其制备方法，属于高性能陶瓷材料技术领域，该非晶态SiBCN陶瓷块体的制备方法包括：将聚硼硅氮烷进行固化后，经粉碎、球磨、真空热解，得到非晶SiBCN陶瓷粉体；将所述非晶SiBCN陶瓷粉体进行放电等离子烧结，得到非晶态SiBCN陶瓷块体。本发明提供非晶态SiBCN陶瓷块体的制备方法可以制得具有高密度、低孔隙缺陷、尺寸可调、收缩率小和优异抗氧化性能的非晶SiBCN陶瓷块体，可有效解决传统SiBCN陶瓷块体制备过程中材料尺寸受限、孔隙多等问题。

公开(公告)号：CN119469451A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411628664.2

申请日：2024-11-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郭政佑 ,  杨强 ,  刘中正 ,  侯朴 ,  师湫航 ,  潘鑫 ,  严强 ,  孟松鹤 ,  李金平

IPC: G01K7/16 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明涉及一种薄膜温度传感器及其制备方法和温度场测量方法，属于温度传感器技术领域，所述薄膜温度传感器具有半导体特性；所述薄膜温度传感器包括SiBCN陶瓷和填料。本发明提供的薄膜温度传感器致密度高、表面质量好，与基体结合能力强，不易脱落，在0～800℃范围内均具有明显半导体特性，可满足高温工况下不同材质的平面、曲面、异形结构的工件表面的温度场测量需求。

公开(公告)号：CN115745626B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202211428395.6

申请日：2022-11-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 严强 ,  李金平 ,  石皓帆 ,  孟松鹤 ,  易法军 ,  解维华 ,  许承海 ,  方国东 ,  杨强

IPC: C04B35/589 ,  C04B35/583 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  G01K7/16

Abstract: 本发明提供了一种氧化石墨烯改性SiBCN陶瓷温度传感器及其制备方法，属于温度传感器技术领域，该温度传感器的制备方法包括：S1.将片状氧化石墨烯和N,N‑二甲基甲酰胺的混合物在密封条件下进行超声分散，得到氧化石墨烯分散液；S2.将氧化石墨烯分散液与聚硼硅氮烷混匀，得到混合液；S3.将混合液进行热交联、粉碎、筛分，得到改性聚硼硅氮烷粉末；S4.将混合液与改性聚硼硅氮烷粉末的混合物进行热压成型，得到圆柱形素坯；S5.在圆柱形素坯表面钻两个小孔，并在所述小孔中插入钨丝，经热解处理，得到氧化石墨烯改性SiBCN陶瓷温度传感器。本发明提供的温度传感器的制备方法简单，所制得的温度传感器尺寸小、测温范围广、耐氧腐蚀、灵敏度高。

公开(公告)号：CN115745626A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211428395.6

申请日：2022-11-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 严强 ,  李金平 ,  石皓帆 ,  孟松鹤 ,  易法军 ,  解维华 ,  许承海 ,  方国东 ,  杨强

IPC: C04B35/589 ,  C04B35/583 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  G01K7/16

Abstract: 本发明提供了一种氧化石墨烯改性SiBCN陶瓷温度传感器及其制备方法，属于温度传感器技术领域，该温度传感器的制备方法包括：S1.将片状氧化石墨烯和N,N‑二甲基甲酰胺的混合物在密封条件下进行超声分散，得到氧化石墨烯分散液；S2.将氧化石墨烯分散液与聚硼硅氮烷混匀，得到混合液；S3.将混合液进行热交联、粉碎、筛分，得到改性聚硼硅氮烷粉末；S4.将混合液与改性聚硼硅氮烷粉末的混合物进行热压成型，得到圆柱形素坯；S5.在圆柱形素坯表面钻两个小孔，并在所述小孔中插入钨丝，经热解处理，得到氧化石墨烯改性SiBCN陶瓷温度传感器。本发明提供的温度传感器的制备方法简单，所制得的温度传感器尺寸小、测温范围广、耐氧腐蚀、灵敏度高。

公开(公告)号：CN118624048A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410696127.5

申请日：2024-05-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 严强 ,  李金平 ,  石皓帆 ,  陈思尧 ,  易法军 ,  许承海 ,  杨强 ,  孟松鹤

IPC: G01K7/16 ,  C09D183/16 ,  C09D7/61

Abstract: 本发明提供了一种适用于高温有氧环境下的SiBCN陶瓷传感器及其制备方法，属于传感器技术领域，所述适用于高温有氧环境下的SiBCN陶瓷传感器为敏感元表面包覆有涂层的SiBCN陶瓷传感器；所述涂层包含SiBCN、ZrO2、SiO2和BN。本发明提供的适用于高温有氧环境下的SiBCN陶瓷传感器高温抗氧化性能优异、测温范围广(室温～1200℃)、耐氧腐蚀性能好，可应用于1200℃有氧环境的温度测量，解决了现有SiBCN传感器使用温度均低于1000℃，无法满足高温有氧环境的使用需求的问题。