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公开(公告)号：CN102815698A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210239675.2
申请日：2012-07-12
Applicant: 同济大学
IPC: C01B31/30
Abstract: 本发明属于低维纳米碳化物材料的制备领域，具体为一种二维碳化物的模板限制合成方法，该方法以石墨烯为二维结构模板，通过石墨烯与挥发性金属卤化物的气-固相反应，最终获得了自支撑的二维碳化物材料。本发明提供的方法相对于现有的碳化物薄膜制备技术，不需要基底的辅助支撑来生长碳化物，产物的形貌结构可通过调节模板的种类、大小和结构来控制。此外，该方法避免使用价格昂贵的薄膜加工仪器，制备成本相对低廉，环境友好，制备工艺简单，重复性好，在高温催化、新兴能源、光电器件、生物医药和气敏器件等领域具有广阔的应用前景。
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