公开(公告)号：CN115498123A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211184239.X

申请日：2022-09-27

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张佳旗 ,  苟利杰 ,  高龙 ,  张晓宇 ,  郑伟涛

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了ODADBr原位钝化的钙钛矿量子点高效发光LED及其制备方法，采用ITO为阴极，PEDOT:PSS为空穴注入层，其厚度为40nm；Poly‑TPD为空穴传输层，其厚度为20nm；PMMA为界面修饰层，其厚度为5nm；原始与ODADBr原位钝化的CsPbBr3量子点为发光层，其厚度为15nm；TPBi为电子传输层，其厚度为50nm；LiF为电子注入层，其厚度为1nm；Al为阳极，其厚度为100nm，采用ODADBr钝化高温热注入合成的CsPbBr3量子点表面陷阱，减少量子点表面多余的Pb2+与VBr，从而提高材料的荧光寿命、发光强度以及荧光量子产率(PLQY)，进而提高材料的稳定性，将其应用于LED中，可以实现高亮度、高纯度、高外量子效率和提高器件的工作寿命。