-
公开(公告)号：CN102358612A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110241625.3
申请日：2011-08-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于微纳电子器件技术领域，具体涉及一种建立在硅基底上、加热电极和信号电极共居于同一介质平面上的硅基共平面低功耗微型气体传感器芯片及用于制备微型气体传感器，该结构传感器可实现在较低温度下工作。本发明所述的微型气体传感器芯片是利用常规热氧化法在 晶向的Si基片上制做SiO2绝缘层；采用半导体平面工艺，在绝缘层SiO2上依次溅射Ti粘附层和Pt电极层(加热电极和信号电极)；然后经过光刻、划片，得到共平面型微气体传感器的芯片。本发明制备的气体传感器芯片功耗低，远远优越于悬臂梁型微传感器。本发明工艺简单，成本低廉，功耗较小，易于集成。
-
-
公开(公告)号：CN119583740A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411761717.8
申请日：2024-12-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及图像通信技术领域，具体为一种基于FPGA的图像处理系统及方法，系统包括：数据流同步模块，通过FPGA获取视频帧和时间戳。本发明中，数据流同步确保视频帧与时间戳的匹配，优化视频流的稳定性并减少因时间错位引起的图像错误，提升视频分析的准确性。而动态设定数据包的传输优先级，根据内容的重要性调整传输策略，有效利用带宽资源，保证关键信息的优先传输，提高网络传输的整体效率和响应速度。自适应编码根据网络状况动态调整编码比特率和帧率，优化数据流对不同网络条件的适应性，保持视频质量与传输效率的平衡。图像亮度、对比度调整及噪声抑制的增强，改善低光环境下的图像质量，提高图像的可用性和观看体验。
-
公开(公告)号：CN101123222A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710056020.0
申请日：2007-08-31
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/84
Abstract: 本发明属于平板显示驱动技术领域，具体涉及一种有源驱动有机电致发光显示屏中多晶硅TFT阵列的制作方法。首先是制作多晶硅薄膜，然后光刻形成TFT区、电容下极板区、有机电致发光二极管的阳极区和重掺杂多晶硅的连线；制作栅绝缘层之后光刻形成过孔，用于连接多晶硅和金属；再溅射金属，光刻金属，形成金属栅极和金属连线，同时给电容下极板掺杂区开出掺杂窗口，之后再利用自对准进行掺杂，对TFT的源漏电极，多晶硅短线互连区，电容下极板需要掺杂区进行重(BH3)P型掺杂；最后制备绝缘层、发光窗口、OLED发光层。本发明所述方法的整个工艺过程只需要4次光刻，与通常的Poly－Si TFT工艺过程相比减少2次以上，具有工艺简单的优良效果。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101814581A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010159085.X
申请日：2010-04-29
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/40
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种顶栅顶接触自对准型有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor，OTFT)的制备方法。首先利用真空蒸镀法在清洁的绝缘衬底上制备有源层，然后利用真空蒸镀法制备绝缘层，再通过掩膜方法实现绝缘层的图案化，即形成有源层-绝缘层-有源层的台阶结构；最后利用真空蒸镀法制备金属电极层。其中源、栅、漏三个电极在最后一步工艺同时形成。本发明具有工艺简单、器件特性好的优点，将无机TFT器件中的自对准工艺方法应用于OTFT制作过程中，减少了栅极与源、漏电极的交叠面积，从而减小栅漏之间的漏电流，有利于提高器件的开关电流比。
-
-
公开(公告)号：CN1331194C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200410010970.6
申请日：2004-06-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种具有金属上扩散层的金属诱导多晶硅薄膜的制造方法，包括①在绝缘衬底(10)上沉积非晶硅薄膜(11)；②在(11)上沉积金属隔离层(12)；③在(12)上蒸发一层诱导金属层(13)；④在(13)之上沉积一层介质作为金属上扩散层(14)；⑤在保护气体中采用低温(＜600℃)退火，实现非晶硅到多晶硅的晶化；⑥采用刻蚀工艺将金属上扩散层(14)、诱导金属层(13)、金属隔离层(12)去除等步骤。采用本发明的方法，可对进入非晶硅层的金属原子数量进行调控，以获得大晶粒的多晶硅薄膜；同时金属与硅层不直接接触，避免了残留金属的污染；还可增加诱导金属层的厚度，提高工艺的可操作性和可重复性。
-
公开(公告)号：CN1595662A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410010983.3
申请日：2004-07-08
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明涉及多栅双沟道结构多晶硅薄膜晶体管，由绝缘基底(1)、SiO2缓冲层(51)、栅电极绝缘层(53)、在栅电极绝缘层(53)内的两个顶栅电极(24)、漏区(3)、源区(4)组成，SiO2缓冲层(51)上还生长有一层栅电极绝缘层(52)，在栅电极绝缘层(52)内有底栅电极(23)，底栅电极(23)与顶栅电极(24)通过栅电极连接孔(25)连接；在栅电极绝缘层(52)上生长有多晶硅薄膜形成的沟道(6)。本发明的TFT器件与在同样条件下制备的TFT有着同量级关态漏电流的同时，具有开态电流增加一倍、相同宽长比TFT驱动负载能力增大、提供同样电流在集成矩阵中占更小面积、有效提高开口率等优良效果。
-
公开(公告)号：CN101814581B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201010159085.X
申请日：2010-04-29
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/40
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种顶栅顶接触自对准型有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor，OTFT)的制备方法。首先利用真空蒸镀法在清洁的绝缘衬底上制备有源层，然后利用真空蒸镀法制备绝缘层，再通过掩膜方法实现绝缘层的图案化，即形成有源层-绝缘层-有源层的台阶结构；最后利用真空蒸镀法制备金属电极层。其中源、栅、漏三个电极在最后一步工艺同时形成。本发明具有工艺简单、器件特性好的优点，将无机TFT器件中的自对准工艺方法应用于OTFT制作过程中，减少了栅极与源、漏电极的交叠面积，从而减小栅漏之间的漏电流，有利于提高器件的开关电流比。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.05 seconds)
