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公开(公告)号：CN115472745B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202211039175.4
申请日：2022-08-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于FTO/TiO2：PEO/MAPbCl3异质结的紫外探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。该探测器从下到上依次由FTO衬底、TiO2一维纳米棒阵列薄膜、PEO界面修饰层、多晶钙钛矿MAPbCl3薄膜和Ag电极组成，TiO2一维纳米棒阵列薄膜、PEO界面修饰层和多晶钙钛矿MAPbCl3薄膜构成TiO2：PEO/MAPbCl3异质结光敏感层，待测的紫外光从FTO衬底一侧入射。本发明通过构建复合异质结，增强内建电场，有效调节光敏层中电子传输的表面功函，降低活性层和电极之间的接触势垒，从而增强电子萃取能力，有效提高器件内部载流子的迁移效率，具有对紫外光有较高响应的优良效果。
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公开(公告)号：CN114858869B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202210469510.8
申请日：2022-04-28
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种基于{0001}晶面纳米片组装的富硫空位ZnIn2S4纳米花敏感材料的三乙胺气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。由从下至上的Al2O3衬底、Pd金属叉指电极和涂覆在Pd金属叉指电极上的基于{0001}晶面纳米片组装的富硫空位ZnIn2S4纳米敏感材料层组成。本发明通过改变合成条件来合成了ZnIn2S4纳米花敏感材料，通过S缺陷工程控制生长出的ZnIn2S4纳米花是由暴露高能{0001}面的纳米片自组装而成的，表面具有大量的可作为传感反应活性位点的S空位，因此对三乙胺气体具有良好的检测性能。同时本发明采用的工艺简单、制得的器件体积小、适于大批量生产，因而具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN113984848B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202111251860.9
申请日：2021-10-25
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种基于Fe/Ga双金属有机骨架衍生的Ga掺杂beta‑Fe2O3纳米八面体敏感材料的乙醇气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。由从下至上的Al2O3衬底、Pd金属叉指电极和涂覆在Pd金属叉指电极上的基于Fe/Ga双金属有机骨架衍生的Ga掺杂beta‑Fe2O3纳米敏感材料层组成。本发明将GA(III)掺杂到MIL‑53(Fe)有机骨架结构中，MOF初始粒径受到了影响，抑制了Fe2O3从beta相向alpha相的热转化，可以有效地利用beta‑Fe2O3本身的优异的化学敏感特性来提高气敏响应，对乙醇气体具有良好的检测性能同时具有工艺简单、器件体积小、适于大批量生产的优良效果。
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公开(公告)号：CN116227253B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310521822.3
申请日：2023-05-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本申请提供了一种高通量计算广义配位数和电子描述符的方法，利用ASE(Atomic Simulation Environment)软件，集成原子结构识别方法和球体碰撞检测器，并定义基于晶格类型的近邻原子截断半径，实现结构中的近邻原子列表及所有配位数的计算，并扩展至广义配位数和电子描述符的计算，以解决ASE对近邻原子的识别误差较高、无法实现准确快速高通量计算广义配位数和电子描述符的问题。本方法可应用于预测金属表面特性和结构特性等，应用领域广、通用性强、计算效率高。
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公开(公告)号：CN116227252B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310521785.6
申请日：2023-05-10
Applicant: 吉林大学
IPC: G06F30/20 , G16C10/00 , G01N33/204
Abstract: 本申请提供了基于线性函数的贵金属高熵合金表面原子分布确定方法，包括应用原子模拟环境编写脚本，得到贵金属高熵合金表面结构模型，并利用VASP测试多套参数设置，确定计算贵金属高熵合金表面结构的计算能量收敛效果，得到所述贵金属高熵合金表面结构的表面能；构建描述所述贵金属高熵合金电子性质的描述符Ж，并基于机器学习算法的优化，得到表面描述符Жsurface与贵金属高熵合金表面性质的线性函数，结合贵金属高熵合金的表面信息，得到贵金属高熵合金的表面原子分布信息，以解决无法精确检测高熵合金表面原子分布的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115472745A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211039175.4
申请日：2022-08-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于FTO/TiO2：PEO/MAPbCl3异质结的紫外探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。该探测器从下到上依次由FTO衬底、TiO2一维纳米棒阵列薄膜、PEO界面修饰层、多晶钙钛矿MAPbCl3薄膜和Ag电极组成，TiO2一维纳米棒阵列薄膜、PEO界面修饰层和多晶钙钛矿MAPbCl3薄膜构成TiO2：PEO/MAPbCl3异质结光敏感层，待测的紫外光从FTO衬底一侧入射。本发明通过构建复合异质结，增强内建电场，有效调节光敏层中电子传输的表面功函，降低活性层和电极之间的接触势垒，从而增强电子萃取能力，有效提高器件内部载流子的迁移效率，具有对紫外光有较高响应的优良效果。
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公开(公告)号：CN114894854A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210367111.0
申请日：2022-04-08
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种基于多孔花状CdS/CdIn2S4异质结复合敏感材料的三乙胺气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。由从下至上的带有Pd金属叉指电极的Al2O3衬底和涂覆在Pd金属叉指电极上的基于多孔花状CdS/CdIn2S4异质结复合敏感材料的敏感层组成。本发明中，n‑n异质结的形成有助于载流子的分离和转移。此外，与CdIn2S4相比，CdS/CdIn2S4异质结纳米复合敏感材料多孔的花状结构为气体提供了更多的活性位点和扩散通道来提高气敏响应，对三乙胺气体具有良好的检测性能，同时本发明采用的工艺简单，制得的器件体积小，适于大批量生产，因而具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN112397603B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202011277737.X
申请日：2020-11-16
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于Yb掺杂TiO2纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法，属于半导体紫外光电探测技术领域。从下至上依次由石英片衬底、采用溶胶‑凝胶法在石英片衬底上制备的Yb掺杂TiO2纳米材料光敏感层、在Yb掺杂TiO2纳米材料光敏感层表面采用磁控溅射法制备的Au叉指电极组成；其中，石英片衬底的厚度为1～2mm，光敏感层的厚度为200～300nm；本发明通过在TiO2纳米薄膜中掺杂Yb使半导体整体的费米能级有所提高，增加了金属与半导体之间肖特基势垒，在暗态下能有效降低暗电流。并且随着掺杂浓度的增加，器件的整体吸收波长会发生蓝移，从而为太阳盲紫外探测器的实际应用提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN112397603A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011277737.X
申请日：2020-11-16
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于Yb掺杂TiO2纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法，属于半导体紫外光电探测技术领域。从下至上依次由石英片衬底、采用溶胶‑凝胶法在石英片衬底上制备的Yb掺杂TiO2纳米材料光敏感层、在Yb掺杂TiO2纳米材料光敏感层表面采用磁控溅射法制备的Au叉指电极组成；其中，石英片衬底的厚度为1～2mm，光敏感层的厚度为200～300nm；本发明通过在TiO2纳米薄膜中掺杂Yb使半导体整体的费米能级有所提高，增加了金属与半导体之间肖特基势垒，在暗态下能有效降低暗电流。并且随着掺杂浓度的增加，器件的整体吸收波长会发生蓝移，从而为太阳盲紫外探测器的实际应用提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN110412087B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910723863.4
申请日：2019-08-07
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种基于金属有机骨架模板法制备的NiCoxFe2‑xO4(x＝0.01～0.1)纳米立方体材料的异丙醇气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。该传感器从下至上依次由带有Pd金属叉指电极的Al2O3衬底、在Pd金属叉指电极和Al2O3衬底上采用涂覆技术制备的NiCoxFe2‑xO4纳米立方体材料敏感层组成，纳米立方体的粒径为50～80nm。当微量钴掺杂到立方体上时，由于钴原子和铁原子半径的差异可能引起晶格缺陷，这些缺陷有利于产生氧空位进而增加氧吸附，导致气敏响应的提高。本发明的工艺简单、制得的传感器体积小、适于大批量生产，因而具有重要的应用价值。
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