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公开(公告)号:CN114076783B
公开(公告)日:2023-01-20
申请号:CN202111365331.1
申请日:2021-11-17
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO纳米敏感材料的2‑丁酮传感器及其制备方法,属于半导体氧化物气体传感器技术领域。由外表面带有两条平行、环状且彼此分立的金电极的Al2O3陶瓷管衬底、涂覆在Al2O3陶瓷管外表面和金电极上的APTES功能化的ZnO纳米敏感材料、置于Al2O3陶瓷管内的镍镉加热线圈组成;选择2‑甲基咪唑锌盐作为自牺牲模板,通过高温煅烧获得多孔ZnO纳米材料,在ZnO纳米材料表面修饰3‑氨基丙基三乙氧基硅烷,增加了2‑丁酮和敏感材料之间的相互作用,使得传感器对2‑丁酮的响应显着提高。本发明器件结构新颖,体积小,适于大批量生产,基于APTES功能化的ZnO纳米材料的传感器具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN114076783A
公开(公告)日:2022-02-22
申请号:CN202111365331.1
申请日:2021-11-17
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO纳米敏感材料的2‑丁酮传感器及其制备方法,属于半导体氧化物气体传感器技术领域。由外表面带有两条平行、环状且彼此分立的金电极的Al2O3陶瓷管衬底、涂覆在Al2O3陶瓷管外表面和金电极上的APTES功能化的ZnO纳米敏感材料、置于Al2O3陶瓷管内的镍镉加热线圈组成;选择2‑甲基咪唑锌盐作为自牺牲模板,通过高温煅烧获得多孔ZnO纳米材料,在ZnO纳米材料表面修饰3‑氨基丙基三乙氧基硅烷,增加了2‑丁酮和敏感材料之间的相互作用,使得传感器对2‑丁酮的响应显着提高。本发明器件结构新颖,体积小,适于大批量生产,基于APTES功能化的ZnO纳米材料的传感器具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN109828009A
公开(公告)日:2019-05-31
申请号:CN201910083504.7
申请日:2019-01-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于金属氧化物半导体薄膜纳米材料的H2S气体传感器及其制备方法,属于半导体氧化物气体传感器技术领域。首先是在氧化铝陶瓷衬底的金叉指电极上制备种子层,在种子层的基础上采用电化学沉积的方法,将金属材料沉积在电极上,热退火后得到金属氧化物半导体薄膜材料。以制备的NiO/CuO薄膜纳米材料为例,对低浓度的H2S气体表现出较高的响应,在检测H2S含量方面有很好的应用前景。该制备方法的条件温和,合成方法简单,成本低廉,实验周期短,并且具有很好的重现性,因此具有重要的应用价值。
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公开(公告)号:CN118465005A
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202410889161.4
申请日:2024-07-04
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种用于NH3检测的PPy/ZnO复合敏感材料及其制备方法,属于半导体功能材料技术领域。通过配制的乙酸锌水溶液、硫脲水溶液和氢氧化钠水溶液制备均匀分散的星形ZnO纳米颗粒,并与十二烷基硫酸钠、去离子水混合后加入聚吡咯PPy,加入过硫酸铵溶液反应后得PPy/ZnO纳米复合材料。优点是将无机氧化物的高灵敏度、良好稳定性与有机半导体的高选择性和低工作温度相结合,兼具各自的优势,克服单一组分的不足。采用将P型有机半导体材料和N型无机氧化物半导体复合的增敏方法,通过向有机材料PPy中掺杂不同比例无机材料ZnO提升传感器对NH3的敏感性能,是构筑高性能NH3传感器的一种有效途径,最终改善传感器对NH3的灵敏度,并适于大批量生产。
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公开(公告)号:CN119112132A
公开(公告)日:2024-12-13
申请号:CN202411514872.X
申请日:2024-10-28
Applicant: 吉林大学
IPC: A61B5/021 , A61B5/00 , G06F18/2131
Abstract: 本发明提供一种基于改进的Gabor原子字典的脉搏波时频特征提取方法,属于人体生理信号处理分析和健康监测技术领域。首先对原始脉搏波信号进行中心滑动平均加上小波变换的方法去除高频噪音;之后进行去除基线漂移操作来消除低频噪音,得到不含噪音的脉搏波信号;对去噪后脉搏波信号进行周期分割、归一化处理,得到平均周期信号;构建过完备的Gabor原子字典,利用OMP正交匹配追踪算法对平均脉搏波周期信号进行稀疏表示,得到时频特征分量。本发明的优点在于能够对脉搏波信号完成有效的去噪处理,并能够提取到具有一定生理意义的时频特征,在人体健康监测、疾病预防等方面能够发挥重要作用。
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公开(公告)号:CN116718652A
公开(公告)日:2023-09-08
申请号:CN202310875699.5
申请日:2023-07-17
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明涉及一种基于Bi2MoO6/Bi2O3纳米敏感材料的三乙胺气体传感器及其制备方法,属于半导体氧化物气体传感器技术领域。由外表面带有两条平行、环状且彼此分立的金电极的Al2O3陶瓷管衬底、涂覆在Al2O3陶瓷管外表面和金电极上的纳米敏感材料、置于Al2O3陶瓷管内的镍镉加热线圈组成,每条金电极分别与两根铂丝相连。优点是:通过调控敏感材料的烧结温度,可以使敏感材料获得利于和气体进行化学反应的微纳结构,同时使敏感材料获得较高的化学活性,从而提升传感器的灵敏特性;Bi2MoO6/Bi2O3纳米敏感材料合成方法简单、可重复性高、成本低廉,器件工艺简单,体积小,适于大批量生产;响应时间极短,为开发高性能三乙胺传感器提供了一种有效的敏感材料。
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公开(公告)号:CN111239206B
公开(公告)日:2021-09-17
申请号:CN202010091436.1
申请日:2020-02-13
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种醇类气体传感器及其制备方法,克服了存在的检测气体单一的问题,传感器包括1号部件、Ni‑Cr线圈与六脚底座;1号部件包括陶瓷管组件;六脚底座包括底座、第1组管脚与第2组管脚;Ni‑Cr线圈横置在底座的正上方,1号部件通过陶瓷管组件套在Ni‑Cr线圈上,第1组管脚装在Ni‑Cr线圈左侧的底座上,第2组管脚装在Ni‑Cr线圈右侧的底座上,第1组管脚与第2组管脚和底座的回转轴线平行,第1组管脚和Ni‑Cr线圈左端、陶瓷管组件的1号Pt丝导线、2号Pt丝导线的一端连接;第2组管脚和Ni‑Cr线圈右端、陶瓷管组件的3号Pt丝导线、4号Pt丝导线的一端连接。还提供了醇类气体传感器的制备方法。
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公开(公告)号:CN109828009B
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN201910083504.7
申请日:2019-01-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于金属氧化物半导体薄膜纳米材料的H2S气体传感器及其制备方法,属于半导体氧化物气体传感器技术领域。首先是在氧化铝陶瓷衬底的金叉指电极上制备种子层,在种子层的基础上采用电化学沉积的方法,将金属材料沉积在电极上,热退火后得到金属氧化物半导体薄膜材料。以制备的NiO/CuO薄膜纳米材料为例,对低浓度的H2S气体表现出较高的响应,在检测H2S含量方面有很好的应用前景。该制备方法的条件温和,合成方法简单,成本低廉,实验周期短,并且具有很好的重现性,因此具有重要的应用价值。
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公开(公告)号:CN111239206A
公开(公告)日:2020-06-05
申请号:CN202010091436.1
申请日:2020-02-13
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种醇类气体传感器及其制备方法,克服了存在的检测气体单一的问题,传感器包括1号部件、Ni-Cr线圈与六脚底座;1号部件包括陶瓷管组件;六脚底座包括底座、第1组管脚与第2组管脚;Ni-Cr线圈横置在底座的正上方,1号部件通过陶瓷管组件套在Ni-Cr线圈上,第1组管脚装在Ni-Cr线圈左侧的底座上,第2组管脚装在Ni-Cr线圈右侧的底座上,第1组管脚与第2组管脚和底座的回转轴线平行,第1组管脚和Ni-Cr线圈左端、陶瓷管组件的1号Pt丝导线、2号Pt丝导线的一端连接;第2组管脚和Ni-Cr线圈右端、陶瓷管组件的3号Pt丝导线、4号Pt丝导线的一端连接。还提供了醇类气体传感器的制备方法。
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