公开(公告)号：CN118073497A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410396770.6

申请日：2024-04-02

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 黄凯 ,  张林珏 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/24 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明提供一种Mi cro‑LED芯片及其制备方法。Mi cro‑LED芯片包括：衬底层；位于衬底层上的发光结构；发光结构在平行于衬底层的截面上的图形为多边形；发光结构包括：N型GaN层；位于衬底层一侧表面；I nGaN有源层，位于部分N型GaN层背离衬底层的一侧表面；P型GaN层，位于I nGaN有源层背离所述N型GaN层的一侧表面；发光结构的侧壁与衬底层的表面垂直，且在GaN六方晶系内，侧壁所在的平面属于{11‑20}的晶面族。本发明提供的Mi cro‑LED芯片的发光效率高。

公开(公告)号：CN222126570U

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202420673678.5

申请日：2024-04-02

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 黄凯 ,  张林珏 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/24 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38

Abstract: 本实用新型提供一种Mi cro‑LED芯片。Mi cro‑LED芯片包括：衬底层；位于衬底层上的发光结构；发光结构在平行于衬底层的截面上的图形为多边形；发光结构包括：N型GaN层；位于衬底层一侧表面；I nGaN有源层，位于部分N型GaN层背离衬底层的一侧表面；P型GaN层，位于I nGaN有源层背离所述N型GaN层的一侧表面；发光结构的侧壁与衬底层的表面垂直，且在GaN六方晶系内，侧壁所在的平面属于{11‑20}的晶面族。本实用新型提供的Mi cro‑LED芯片的发光效率高。