公开(公告)号：CN103928562A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410183675.4

申请日：2014-05-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄巍 ,  魏江镔 ,  陈松岩 ,  李成

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/105

Abstract: 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法，涉及一种锗光电探测器。1)在衬底上外延生长单晶锗层，再在锗层上生长SiO2覆盖层；2)利用微电子光刻技术在外延单晶锗层上刻蚀出细长条的有源区台面；3)利用单晶锗层上面的SiO2覆盖层做掩蔽，通过侧向大偏角离子注入在台面两侧形成掺杂p区与掺杂n区；4)沉积金属Ni层后热退火，利用NiGe、NiSi形成时的自对准工艺在台面两侧及刻蚀区底部形成NiGe和NiSi接触电极；5)引出器件电极，保护钝化层，即得横向p-i-n结构Ge光电探测器。工艺简单，可操作性强，极具应用价值。

公开(公告)号：CN103928562B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201410183675.4

申请日：2014-05-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄巍 ,  魏江镔 ,  陈松岩 ,  李成

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法，涉及一种锗光电探测器。1)在衬底上外延生长单晶锗层，再在锗层上生长SiO2覆盖层；2)利用微电子光刻技术在外延单晶锗层上刻蚀出细长条的有源区台面；3)利用单晶锗层上面的SiO2覆盖层做掩蔽，通过侧向大偏角离子注入在台面两侧形成掺杂p区与掺杂n区；4)沉积金属Ni层后热退火，利用NiGe、NiSi形成时的自对准工艺在台面两侧及刻蚀区底部形成NiGe和NiSi接触电极；5)引出器件电极，保护钝化层，即得横向p-i-n结构Ge光电探测器。工艺简单，可操作性强，极具应用价值。